[发明专利]新型PSS基版结构及其制作方法

说明书

 

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，更具体的说，涉及一种新型PSS基版结构及其制作方法。

背景技术

随着半导体科技的进步，现今的 LED 已具备了高亮度的输出，加上 LED 具有省电、体积小、低电压驱动以及不含汞等优点，因此 LED 已广泛地应用在显示器与照明等领域。

不过由于 LED 材料其折射系数大，光取出效率不佳。为了增加取出效率， 许多 LED 厂家发展 PSS 基版。透过 PSS 基版，除了降低外延缺陷外，亦可增加光的取出效率。    

发明内容

本发明为解决上述技术问题，提供一种新型PSS基版结构及其制作方法，并参照 LED 磊晶的生长特性和光散射增加取出效率原理，制作出具有新型结构的 PSS 基版。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种新型PSS基版结构，其特征在于，所述PSS基板的表面呈凹凸不平状。

优选的，所述PSS基板的表面具有两个以上的多阶梯结构孔洞或沟渠。

优选的，所述PSS基板的表面具有两个以上的多阶梯状凸出结构。

优选的，所述PSS基板的表面具有凸起锯齿状结构。

优选的，透过多段交叉式蚀刻方法或透过半色调光刻版的方法，制作出表面具有多阶梯结构孔洞或沟渠的PSS基板，具体如下：

所述多段交叉式蚀刻方法，具体是先进行第一阶段的干蚀刻制程，再透过氧电浆进行光刻胶灰化，将一部分的光刻胶灰化，把未蚀刻的蓝宝石基版裸露出0.1~2 um，然后再进行第二阶段乾蚀刻制程。透过蚀刻和氧电浆进行光刻胶灰化制程的交叉搭配（可多次循环），即可将蓝宝石基版，吃出具有多个阶梯结构的孔洞或沟渠的PSS 基版；

所述透过半色调光刻版方法，具体是用半色调光刻版进行曝光制程，将光刻胶曝光显影为多阶梯状图型，蚀刻和去胶后成为多阶梯结构的孔洞或沟渠的PSS基版。

优选的，透过多段交叉式蚀刻方法或透过半色调光刻版方法，制作出表面具有多阶梯状凸出结构的PSS基板，具体如下：

所述多段交叉式蚀刻方法，具体是先进行第一阶段的干蚀刻制程，再透过氧电浆进行光刻胶灰化，将一部分的光刻胶灰化，把未蚀刻的蓝宝石基版裸露出0.1~2 um，然后再进行第二阶段乾蚀刻制程。透过蚀刻和氧电浆进行光刻胶灰化制程的交叉搭配（可多次循环），即可将蓝宝石基版，吃出具有多阶梯状凸出结构的 PSS 基版；

所述透过半色调光刻版方法，具体是用半色调光刻版进行曝光制程，将光刻胶曝光显影为多阶梯状图型，蚀刻和去胶后成为多阶梯状凸出结构的 PSS 基版。

优选的，透过灰色调光刻版方法，制作出表面具有凸起锯齿状结构的PSS基板，具体如下：用半色调光刻版进行曝光制程，将光刻胶曝光显影为凸起锯齿状图型，蚀刻和去胶后成为具有凸起锯齿状结构的 PSS 基版。

本发明技术方案所提供的几种新型PSS基版结构及其制作方法，让 LED 外延更易成长，并让光更容易散射，增加取出效率。

附图说明

图1是本发明所提供的新型PSS基板一结构示意图；

图2是图1的PSS基板的制程方法一流程图；

图3是图1的PSS基板的制程方法二流程图；

图4是本发明所提供的新型PSS基板二结构示意图；

图5是图4的PSS基板的制程方法一流程图；

图6是图4的PSS基板的制程方法二流程图；

图7是本发明所提供的新型PSS基板三结构示意图；

图8是图7的PSS基板的制程方法流程图。

           

具体实施方式

以下通过附图和具体实施例对本发明所提供的设计方法做一详细的描述：

图1、图4、图7所示的本发明所提供的具有凹凸不平状表面的三种新型PSS基板的结构示意图。其中图1所示的PSS基板的表面具有多个阶梯结构的孔洞或沟渠1。图4所示的PSS基板的表面具有多阶梯状凸出结构2。图7所示的PSS基板的表面具有凸起锯齿状结构3。

图2所示是图1所公开的表面具有两个阶梯结构的孔洞或沟渠1的PSS基板的制结构2的 PSS 基版的制程方法一流程图。采用透过两段交叉式蚀刻方法，具体是干蚀刻 + O2 plasma ash，将Sapphire 基版，吃出具有多阶梯结构的孔洞或沟渠 PSS 基版。具体步骤包括如下：黄光制程—第一次蚀刻—氧电浆进行光刻胶灰化—第二次蚀刻—去光胶，最终形成具有两个阶梯状凸出结构2的 PSS 基版。