[发明专利]用于产生半导体组件的方法

说明书

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种用于产生在单晶半导体主体中具有多晶半导体主体的半导体组件的方法。

背景技术

多晶半导体主体例如是通过半导体材料在衬底上的多晶沉积而产生的。

在US 2009/0212396 A1中描述了一种用于在半导体主体的锯架中产生无定形或多晶半导体主体区段的方法。其中所解释的方法提供将半导体主体单分（singulate）成不同节段，其中作为在半导体主体的分离区段中产生无定形或多晶半导体主体区段的结果，在半导体主体的分离区段中出现裂缝。在这种情况下，所述裂缝按照发自分离区段中的所述无定形或多晶半导体主体区段的方式形成。因此，所述无定形或多晶半导体主体区段的产生意图用于分解半导体主体的晶体结构，以便将半导体主体划分成单独的半导体组件。

对于一些应用来说，诸如例如作为半导体组件中的复合区段，多晶结构在半导体组件的半导体主体内还将是期望的。这特别适用于诸如二极管、MOS晶体管、IGBT之类的功率半导体组件中的应用，而且也适用于射频电路中的应用。

发明内容

一种用于产生具有多晶半导体主体区段的半导体组件的一个示例性实施例包括以下特征：

- 提供单晶半导体主体，所述单晶半导体主体具有第一表面、位于与第一表面相对的第二表面、半导体主体的半导体组件部分以及与之相邻的半导体主体的分离区段；

- 在半导体组件部分中在第一和第二表面之间产生多晶半导体主体区段，其中按照聚焦到半导体主体的半导体组件部分中的位置上的方式向半导体主体中引入波长为至少1064nm的电磁辐射，并且其中所述位置处的辐射的功率密度小于1×10⁸W/cm²；

- 通过在分离区段中从第一表面远到第二表面切割单晶半导体主体来单分半导体组件。

附图说明

图1示出了通过电磁辐射在半导体主体中产生横向多晶半导体主体区段。

图2示出了通过电磁辐射在半导体主体中产生垂直多晶半导体主体区段。

图3示出了产生具有横向和垂直部分的连续多晶半导体主体区段。

图4示出了通过掩模在半导体主体中产生多晶半导体主体区段。

图5借助于图5a和图5b中的示意性剖面图示出了将杂质引入到半导体主体中。

图6示出了半导体主体中的与沟槽邻近的横向多晶半导体主体区段。

图7示出了穿过半导体主体的连续扩散结构。

图8示出了具有连续扩散结构的半导体组件。

具体实施方式

下面参照附图更加详细地解释本发明的示例性实施例。然而，本发明不限于具体描述的实施例，而是可以按照适当方式进行修改和更改。将一个实施例的单独特征和特征组合与另一个实施例的特征和特征组合适当地组合以便得到根据本发明的其他实施例，处于本发明的范围内。

在下面参照附图更加详细地解释本发明的示例性实施例之前，指出的是：为附图中的等同元件提供相同的或类似的附图标记，并且省略了对这些元件的重复描述。此外，附图不一定真正是按比例绘制的。相反，主要的重点是在于阐明基本原理。

图1示出了用于产生多晶半导体主体区段的方法的基本实施例。在单晶半导体主体10中产生多晶半导体主体区段11。为此目的所提供的单晶半导体主体10具有第一表面12和位于与第一表面12相对的第二表面13。此外，所述半导体主体被细分成半导体组件部分14以及与之相邻的分离区段15。在这种情况中，单晶半导体主体10可以例如由任何已知的半导体材料诸如硅构成。单晶半导体主体10例如可以是传统的半导体晶片。然而，它也可以是这样的晶片的仅仅一部分。

通过波长为至少1064nm的聚焦电磁辐射20产生多晶半导体主体区段11。为此目的，按照聚焦到处于第一表面12下方的深度T的位置上的方式将电磁辐射20引入到半导体组件部分14中，这导致将聚焦位置处的受辐射区段从单晶结构转换成多晶结构。举例来说，具有处于红外范围内的波长的激光束可以被用作电磁辐射20。举例来说，所述波长处于1064nm与1342nm之间的范围内。

聚焦位置处的电磁辐射20的功率密度小于1×10⁸W/cm²。举例来说，聚焦位置处的聚焦辐射的功率密度处于1×10⁴W/cm²与1×10⁸W/cm²之间的范围内。电磁辐射20到半导体主体10中的脉冲引入是可能的。