[发明专利]可调谐MEMS装置和可调谐MEMS装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基板；

可移动电极；以及

对电极，其中，所述可移动电极或所述对电极包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域与所述第二区域隔离，其中，所述第一区域被配置为被调谐，其中，所述第二区域被配置为提供感测信号或控制系统，以及其中，所述可移动电极和所述对电极机械地连接到所述基板。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一区域被设定为

调谐偏压V_调谐，其中，所述第二区域被设定为感测偏压V_感测。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一区域大体上包围所述第二区域。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二区域的面积大体上大于所述第一区域的面积。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一区域或所述第二区域包括多个电极。

6.一种MEMS结构，包括：

基板；

可移动电极；以及

对电极，所述对电极包括第一对电极区域和第二对电极区域，其中，所述第一对电极区域与所述第二对电极区域隔离，以及其中，所述对电极和所述可移动电极机械地连接至所述基板。

7.根据权利要求6所述的MEMS结构，其中，所述可移动电极包括第一可移动电极区域和第二可移动电极区域，其中，所述第一对电极区域对应于所述第一可移动电极区域，以及其中，所述第二对电极区域对应于所述第二可移动电极区域。

8.根据权利要求7所述的MEMS结构，其中，所述第一可移动电极区域和所述第一对电极区域被设定为调谐偏压V_调谐，以及其中，所述第二可移动电极区域和所述第二对电极区域被设定为感测偏压V_感测。

9.根据权利要求7所述的MEMS结构，其中，所述第一可移动电极区域被设置为比所述第二可移动电极区域靠近所述对电极。

10.根据权利要求7所述的MEMS结构，其中，所述第二可移动电极区域被设置为比所述第一可移动电极靠近所述对电极区域。

11.根据权利要求6所述的MEMS结构，其中，所述基板被设定为调谐偏压V_调谐，以及其中，所述对电极被设定为感测偏压V_感测。

12.根据权利要求6所述的MEMS结构，其中，基板包括锯齿状边沿。

13.一种MEMS结构，包括：

半导体基板；

背板电极；以及

堆叠隔膜，包括第一隔膜和第二隔膜，

其中，所述堆叠隔膜和所述背板被机械地连接至所述半导体基板。

14.根据权利要求13所述的MEMS结构，其中，所述第一隔膜被设置在所述堆叠隔膜的中心区域，以及其中，所述第二隔膜被设置在所述堆叠隔膜的外围区域。

15.根据权利要求13所述的MEMS结构，其中，所述第一隔膜的面积大于所述第二隔膜的面积。

16.根据权利要求13所述的MEMS结构，其中，所述第一隔膜部分覆盖所述第二隔膜。

17.根据权利要求13所述的MEMS结构，进一步包括介电层，以及其中，在所述堆叠隔膜的可移动部分中，所述介电层将所述第一隔膜机械地连接至所述第二隔膜。

18.根据权利要求13所述的MEMS结构，其中，所述第一隔膜被配置为提供感测信号，以及其中，所述第二隔膜被配置为被调谐。

19.根据权利要求18所述的MEMS结构，其中，所述第一隔膜比所述第二隔膜靠近所述背板电极。

20.根据权利要求13所述的MEMS结构，其中，所述第二隔膜比所述第一隔膜靠近所述背板。