[发明专利]利用激光在低熔点的基底表面制备二氧化钛薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201310064638.7 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN103132064A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 刘富荣;韩欣欣;陈继民 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C23C20/08 分类号: C23C20/08
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 利用 激光 熔点 基底 表面 制备 氧化 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种利用激光在低熔点的基底表面制备二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,其步骤包括:

(1)选取透过率大于百分之八十五的基底,且要求其熔点在120到265度之间,用超声波清洗仪清洗并吹干,确保基底表面没有灰尘;

(2)在纳米二氧化钛粉末中滴入水,制成溶胶,并将它涂覆在基底上;

(3)将涂覆了溶胶的基底放在实验平台上,使涂有二氧化钛的一面朝下;打开激光器调整实验平台高度,使激光束的焦点落在基底表面,其中激光器为1064nm的光纤激光器;

(4)绘制出需要在基底上制备二氧化钛薄膜的形状,并调试激光频率为20HZ,扫描速度在750-1000mm/s之间,扫描间隔在0.003-0.007mm之间,扫描功率在3-4瓦间,制备出二氧化钛薄膜;

(5)再利用超声波清洗仪将多余的溶胶清洗掉,得到干净的镀有二氧化钛薄膜的基底。

2.按照权利要求1的方法,其特征在于,基底材料是表面镀有ITO导电薄膜的导电基底。

3.按照权利要求1的方法,其特征在于,溶胶中二氧化钛粉末与水的质量比在1∶1和1∶2之间。

4.按照权利要求1的方法,其特征在于,二氧化钛粉末的粒径在15-20nm间。

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