[发明专利]利用激光在低熔点的基底表面制备二氧化钛薄膜的方法有效
申请号: | 201310064638.7 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103132064A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 刘富荣;韩欣欣;陈继民 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C23C20/08 | 分类号: | C23C20/08 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 激光 熔点 基底 表面 制备 氧化 薄膜 方法 | ||
1.一种利用激光在低熔点的基底表面制备二氧化钛薄膜的方法,其特征在于,其步骤包括:
(1)选取透过率大于百分之八十五的基底,且要求其熔点在120到265度之间,用超声波清洗仪清洗并吹干,确保基底表面没有灰尘;
(2)在纳米二氧化钛粉末中滴入水,制成溶胶,并将它涂覆在基底上;
(3)将涂覆了溶胶的基底放在实验平台上,使涂有二氧化钛的一面朝下;打开激光器调整实验平台高度,使激光束的焦点落在基底表面,其中激光器为1064nm的光纤激光器;
(4)绘制出需要在基底上制备二氧化钛薄膜的形状,并调试激光频率为20HZ,扫描速度在750-1000mm/s之间,扫描间隔在0.003-0.007mm之间,扫描功率在3-4瓦间,制备出二氧化钛薄膜;
(5)再利用超声波清洗仪将多余的溶胶清洗掉,得到干净的镀有二氧化钛薄膜的基底。
2.按照权利要求1的方法,其特征在于,基底材料是表面镀有ITO导电薄膜的导电基底。
3.按照权利要求1的方法,其特征在于,溶胶中二氧化钛粉末与水的质量比在1∶1和1∶2之间。
4.按照权利要求1的方法,其特征在于,二氧化钛粉末的粒径在15-20nm间。
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C23C20-00 通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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