[发明专利]具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，依次包括如下步骤：

步骤一：利用MOCVD工艺依次生长Ｇｅ电池（2）、应变补偿ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格电池（3）以及ＧａＩｎＡｓ电池（4）；

步骤二：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＡｓ电池（4）生长第一减反射层（5），此后在真空镀膜机中将第二减反射层（6）蒸镀到第一减反射层（5）的表面上；

步骤三：利用MOCVD工艺在第二减反射层（6）上生长ＧａＩｎＰ电池（7）；

步骤四：利用MOCVD工艺在ＧａＩｎＰ电池（7）上生长第三减反射层（8），此后在真空镀膜机中，在第三减反射层（8）的表面上依次蒸镀第四减反射层（9）和第五减反射层（10）；

步骤五：在第五减反射层（10）的表面上，使用光刻胶覆盖住将要形成顶电极（11）的区域之外的区域之后，采用氢氟酸溶液刻蚀第四减反射层（9）和第五减反射层（10），直至露出第三减反射层（8）为止；

步骤六：采用溅射工艺在第三减反射层（8）的将要形成顶电极（11）的区域上溅射金属银，从而形成所述顶电极（11）；

步骤七：在Ｇｅ电池（2）的整个下表面溅射金属银，以形成底电极（1）。

2.如权利要求1所述的具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，其特征在于：

其中，第一减反射层（5）为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2～3.4，厚度为30-40nm；第二减反射层（6）为ZnS薄膜，其折射率为2.1-2.3，厚度为50-70nm；第三减反射层（8）为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2～3.4，厚度为30-40nm；第四减反射层（9）为Si₃N₄薄膜，其折射率为：2.1-2.4，其厚度为50-60nm；第五减反射层（10）为Ta₂O₅薄膜，其折射率为2.0～2.15，其厚度为80-100nm。

3.如权利要求1或2所述的具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，其特征在于：

其中优选地，第一减反射层（5）为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2～3.4，厚度为30-40nm；第二减反射层（6）为ZnS薄膜，其折射率为2.1-2.3，厚度为50-70nm；第三减反射层（8）为AlGaInN薄膜，其折射率为3.2～3.4，厚度为30-40nm；第四减反射层（9）为Si₃N₄薄膜，其折射率为：2.1-2.4，其厚度为50-60nm；第五减反射层（10）为Ta₂O₅薄膜，其折射率为2.0～2.15，其厚度为80-100nm。

4.如权利要求1-3任意之一所述的具有减反射膜的四结太阳能电池的制造方法，其特征在于：

其中，MOCVD生长第一减反射层（5）和第三减反射层（8）的方法为：在MOCVD淀积腔中，淀积温度为640～680℃，生长速率为0.4～0.6nm/s；

其中，MOCVD生长第四减反射层（9）的方法为：在MOCVD淀积腔中，淀积温度为660～680℃，生长速率为0.5～0.7nm/s；

其中，蒸镀第二减反射层（6）的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为100～140℃，真空度大于10^-5torr，生长速率为0.2～0.4nm/s；

其中，蒸镀第五减反射层（10）的方法为：在真空镀膜机中，蒸镀温度为100～140℃，真空度大于10^-5tor r，生长速率为0.2～0.3nm/s。