[发明专利]半导体芯片及半导体封装体在审
申请号: | 201310065182.6 | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN103383928A | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 赵胜熙 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 封装 | ||
1.一种半导体芯片,包括形成在焊垫上方、作为连接至外部电路的连接构件的凸块,该凸块包括:
埋入图案,形成在该焊垫的一部分上方;及
导电图案,形成在该埋入图案和该焊垫的其余部分上方且具有凸起的截面形状。
2.如权利要求1所述的半导体芯片,还包括:
绝缘图案,以暴露该焊垫的方式形成在该半导体芯片上方。
3.如权利要求1所述的半导体芯片,其中该埋入图案设置于该焊垫的中间部分上方。
4.如权利要求1所述的半导体芯片,还包括:
籽晶金属,设置在该焊垫和该埋入图案之间以及该焊垫和该导电图案之间。
5.如权利要求4所述的半导体芯片,其中该埋入图案由与该籽晶金属相同类型的金属形成。
6.如权利要求4所述的半导体芯片,其中该导电图案包括通过使用该籽晶金属和该埋入图案作为籽晶而生长的电镀层。
7.如权利要求1所述的半导体芯片,还包括:
籽晶金属,设置在该焊垫和该导电图案之间以及该埋入图案和该导电图案之间。
8.如权利要求7所述的半导体芯片,其中该埋入图案由电介质物质形成。
9.如权利要求7所述的半导体芯片,其中该导电图案包括通过使用该籽晶金属作为籽晶而生长的电镀层。
10.如权利要求1所述的半导体芯片,其中该焊垫包括接合焊垫或重分配焊垫。
11.一种半导体封装体,包括:
半导体芯片,具有前表面和背表面;
贯穿电极,在该半导体芯片中形成为穿过该前表面和该背表面,并具有设置于该前表面上的第一端和设置于该背表面上的第二端;以及
背侧凸块,形成于该贯穿电极的第二端上方,包括形成在该贯穿电极的第二端的一部分上方的埋入图案和形成在该埋入图案和该贯穿电极的第二端的其余部分上方的导电图案,并且具有凸起的截面形状。
12.如权利要求11所述的半导体封装体,还包括:
绝缘图案,以暴露该贯穿电极的第二端的方式形成于该半导体芯片的背表面上方。
13.如权利要求11所述的半导体封装体,还包括:
形成在该贯穿电极的第一端上方的前侧凸块。
14.权利要求11所述的半导体封装体,其中该埋入图案设置于该贯穿电极的暴露的第二端的中间部分上方。
15.如权利要求11所述的半导体封装体,其中该背侧凸块还包括:
籽晶金属,插设在该贯穿电极的第二端和该埋入图案之间以及该贯穿电极的第二端和该导电图案之间。
16.如权利要求15所述的半导体封装体,其中该埋入图案由与该籽晶金属相同类型的金属形成。
17.如权利要求11所述的半导体封装体,其中该导电图案包括通过使用该籽晶金属和埋入图案作为籽晶而生长的电镀层。
18.如权利要求11所述的半导体封装体,还包括:
籽晶金属,插设在该贯穿电极的第二端和该导电图案之间以及该埋入图案和该导电图案之间。
19.如权利要求18所述的半导体封装体,其中该埋入图案由电介质物质形成。
20.如权利要求18所述的半导体封装体,其中该导电图案包括通过使用籽晶金属作为籽晶而生长的电镀层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310065182.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。