[发明专利]接近式曝光装置、曝光光形成方法、面板基板的制造方法

权利要求书

1.一种接近式曝光装置，包括：

多个半导体发光元件，产生形成曝光光的光；

基底基板，搭载所述多个半导体发光元件；

多个放大透镜，与各半导体发光元件对应而设置，将从各半导体发光元件产生的光放大；及

复眼透镜；且

使通过所述多个放大透镜放大的光在所述复眼透镜重合而形成曝光光；

所述接近式曝光装置的特征在于包括：

凹面镜，设置在从所述多个放大透镜至所述复眼透镜的光路内，所述凹面镜具有抛物面的镜面，使通过所述多个放大透镜放大的光反射并照射至所述复眼透镜；且

所述基底基板构成为平坦状，将所述多个半导体发光元件搭载在同一平面上，

所述基底基板与所述复眼透镜是：以使从搭载在所述基底基板的半导体发光元件群的中心至所述凹面镜的中心的距离、及从所述凹面镜的中心至所述复眼透镜的入射面的中心的距离等于所述凹面镜的焦距，且搭载在所述基底基板的半导体发光元件群的中心位置与所述复眼透镜的入射面的中心位置夹着通过所述凹面镜的焦点的法线而对称的方式而配置，

所述多个半导体发光元件及所述多个放大透镜是：以使从各半导体发光元件产生并通过对应的放大透镜放大且在所述凹面镜反射的光的光轴，在不偏离所述复眼透镜的照射面的特定角度以内，入射至所述复眼透镜的方式而配置。

2.根据权利要求1所述的接近式曝光装置，其特征在于：

各放大透镜是以使在所述凹面镜反射的光分别成为平行的光束的方式，将从各半导体发光元件产生的光放大并照射至所述凹面镜。

3.根据权利要求1或2所述的接近式曝光装置，其特征在于：

所述基底基板是将多个平坦的基板组合起来而构成，且所述多个放大透镜是针对该基板的每一个而构成。

4.根据权利要求1或2所述的接近式曝光装置，其特征在于：

各半导体发光元件配置在邻接且无间隙地排列的多个正三角形的各顶点的位置，

各放大透镜的垂直于光轴的剖面为正六边形，且各放大透镜相互邻接且无间隙地配置。

5.根据权利要求3所述的接近式曝光装置，其特征在于：

各半导体发光元件配置在邻接且无间隙地排列的多个正三角形的各顶点的位置，

各放大透镜的垂直于光轴的剖面为正六边形，且各放大透镜相互邻接且无间隙地配置。

6.一种接近式曝光装置的曝光光形成方法，将多个半导体发光元件搭载在基底基板，从各半导体发光元件产生形成曝光光的光，

与各半导体发光元件对应而设置多个放大透镜，通过对应的放大透镜而将从各半导体发光元件产生的光放大，

使通过多个放大透镜放大的光在复眼透镜重合而形成曝光光；

所述接近式曝光装置的曝光光形成方法的特征在于：

在从多个放大透镜至复眼透镜的光路内设置有凹面镜，所述凹面镜具有抛物面的镜面，使通过多个放大透镜放大的光反射并照射至复眼透镜，

呈平坦状构成所述基底基板，而将多个半导体发光元件搭载在同一平面上，

以使从搭载在所述基底基板的半导体发光元件群的中心至所述凹面镜的中心的距离、及从所述凹面镜的中心至所述复眼透镜的入射面的中心的距离等于凹面镜的焦距，且搭载在所述基底基板的半导体发光元件群的中心位置与所述复眼透镜的入射面的中心位置夹着通过所述凹面镜的焦点的法线而对称的方式，来配置所述基底基板与所述复眼透镜，

以使从各半导体发光元件产生并通过对应的放大透镜放大且在所述凹面镜反射的光的光轴，在不偏离所述复眼透镜的照射面的特定角度以内入射至复眼透镜的方式，来配置所述多个半导体发光元件及所述多个放大透镜，

使从所述多个半导体发光元件产生并通过所述多个放大透镜放大的光，在所述凹面镜反射并照射至所述复眼透镜。

7.根据权利要求6所述的接近式曝光装置的曝光光形成方法，其特征在于：

以通过各放大透镜使在所述凹面镜反射的光分别成为平行的光束的方式，将从各半导体发光元件产生的光放大并照射至所述凹面镜。

8.根据权利要求6或7所述的接近式曝光装置的曝光光形成方法，其特征在于：

将多个平坦的基板组合起来而构成所述基底基板，且针对该基板的每一个而构成所述多个放大透镜。