[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上包括NMOSFET区域、PMOSFET区域、非高电阻区域和高电阻区域；

在所述衬底上形成应力层；

对所述应力层进行第一次光刻，去除所述PMOSFET区域上的应力层；

对所述应力层进行退火处理；

对所述应力层进行第二次光刻，去除所述NMOSFET区域上的应力层，保留所述高电阻区域上的应力层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述应力层包括依次形成于所述衬底上的氧化硅层和氮化硅层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为所述氮化硅层的厚度为

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述退火处理包括瞬间退火处理以及激光脉冲退火处理。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对所述应力层进行第二次光刻，去除NMOSFET区域上的应力层，保留所述高电阻区域上的应力层步骤中，保留所述高电阻区域上的应力层作为高电阻区域上的自对准金属硅化物阻挡层。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述应力层进行第一次光刻，去除所述PMOSFET区域上的应力层的步骤包括：

在所述应力层上形成第一光刻胶；

对所述第一光刻胶进行曝光和显影，去除一部分第一光刻胶，暴露出所述PMOSFET区域和非高电阻区域上的应力层；

刻蚀暴露出的所述PMOSFET区域和非高电阻区域上的应力层，保留所述NMOSFET区域和高电阻区域上的应力层；

去除剩余的第一光刻胶。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述应力层进行第二次光刻，去除所述NMOSFET区域上的应力层，保留所述高电阻区域上的应力层的步骤包括：

在所述应力层、PMOSFET区域和非高电阻区域上形成第二光刻胶；

对所述第二光刻胶进行曝光和显影，去除一部分第二光刻胶，暴露所述NMOSFET区域上的应力层，保留所述PMOSFET区域、高电阻区域和非高电阻区域上第二光刻胶；

刻蚀暴露出的所述NMOSFET区域上的应力层，保留所述高电阻区域上的应力层；

去除剩余的第二光刻胶。

8.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述应力层进行第一次光刻，去除所述PMOSFET区域上的应力层的步骤包括：

在所述应力层上形成第一光刻胶；

对所述第一光刻胶进行曝光和显影，去除一部分第一光刻胶，暴露出所述PMOSFET区域上的应力层；

刻蚀暴露出的所述PMOSFET区域上的应力层，保留所述NMOSFET区域、非高电阻区域和高电阻区域上的应力层；

去除剩余的第一光刻胶。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述应力层进行第二次光刻，去除所述NMOSFET区域上的应力层，保留所述高电阻区域上的应力层的步骤包括：

在所述应力层和PMOSFET区域上形成第二光刻胶；

对所述第二光刻胶进行曝光和显影，去除一部分第二光刻胶，暴露出所述NMOSFET区域和非高电阻区域的应力层，保留所述PMOSFET区域和高电阻区域上的第二光刻胶；

刻蚀暴露出NMOSFET区域和非高电阻区域的应力层，保留所述高电阻区域上的应力层；

去除剩余的第二光刻胶。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述NMOSFET区域上形成有NMOSFET。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述PMOSFET区域上形成有PMOSFET。