[发明专利]透明氧化物半导体薄膜晶体管

权利要求书

1.一种制造薄膜晶体管基底的方法，包括：

在基底上形成栅电极；

形成栅极绝缘体；

形成源电极和漏电极；以及

形成被构造成使所述源电极与所述漏电极电连接的沟道，

其中，所述沟道通过在惰性气体中可控的氧气分压下溅射未掺杂的透明金属氧化物层来形成，

所述金属氧化物包括氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉中的至少一种，并且

所述溅射在低于100℃的温度下进行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在惰性气体内氧气的分压在0.1Pc至10Pc的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在惰性气体内氧气的分压在0.5Pc至2Pc的范围内。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中氧气的分压为10^-5托。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的方法，其中所述源电极、所述漏电极和所述栅电极中的至少一个利用彼此不同的至少两种金属顺序堆叠。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述金属包括钛、铝和金中的至少一种。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的方法，其中所述栅极绝缘体包括氧化铝、氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉中的至少一种。

8.根据权利要求1至7中的一项所述的方法，其中所述基底是柔性基底。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述柔性基底包括聚对苯二甲酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、和聚醚砜（PES）中的至少一种。

10.根据权利要求1至9所述的方法，其中所述溅射包括射频磁控管溅射、直流磁控管溅射、二极管溅射、三极管溅射、和离子束溅射中的至少一种。

11.根据权利要求1至10所述的方法，其中所述溅射在室温下进行。