[发明专利]MIM双电容器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310066636.1 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022015A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张海烽;张珏;陈思安;姜俊克 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容器 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种MIM双电容器结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，并于半导体基底上形成第一互连金属层；
在互连金属层上表面形成层间介质层；
刻蚀所述层间介质层，以形成沟槽，所述沟槽底部暴露部分所述第一互连金属层；
在所述层间介质层表面、沟槽侧壁及所述暴露的第一互连金属层表面上依次沉积形成第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层，所述第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层形成为叠层结构，且所述叠层结构填充所述沟槽；
执行化学机械研磨，以暴露所述层间介质层表面；
在层间介质层表面及所述叠层结构表面形成第二互连金属层；
在第二互连金属层表面形成图案化光刻胶，并以图案化光刻胶为掩膜刻蚀所述第二互连金属层，以形成包括分别与所述第一金属层、第二金属层和第三金属层连接的第一金属线、第二金属线和第三金属线的布线层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀所述层间介质层形成沟槽，以使所述沟槽底部宽度小于沟槽开口宽度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料为钨，第一绝缘层、第二绝缘层的材料为聚氧化乙烯。
4.一种MIM双电容器结构，包括半导体基底以及依次形成于半导体基底上的第一互连金属层和布线层，所述第一互连金属层和布线层之间设置有层间介质层；其特征在于，
所述MIM双电容器结构还包括设置于所述层间介质层中的沟槽，所述沟槽底部暴露部分所述第一互连金属层，且所述沟槽底部及沟槽侧壁表面上依次形成有第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层，并且所述第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层形成为叠层结构，且所述叠层结构填充所述沟槽；
所述布线层包括分别与所述第一金属层、第二金属层和第三金属层连接的第一金属线、第二金属线和第三金属线。
5.根据权利要求4所述的MIM双电容器结构，其特征在于，所述沟槽底部宽度小于沟槽开口宽度。
6.根据权利要求5所述的MIM双电容器结构，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料为钨，第一绝缘层、第二绝缘层的材料为聚氧化乙烯。
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