[发明专利]具有共掺杂薄膜的氮化镓基激光二极管无效
| 申请号： | 201310066818.9 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103166113A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 钱时昌 | 申请（专利权）人： | 溧阳华晶电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/327 | 分类号： | H01S5/327 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 蒋家华 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 薄膜 氮化 激光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管，该激光二极管的结构为：
n型氧化镍薄膜，其形成在氮化镓衬底的上表面上；氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜，其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上，以及底电极，其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上，顶电极，其形成在所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。
2.如权利要求1所述的激光二极管，其特征在于：
其中，所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的厚度约为300-400nm，该氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜中Mg的摩尔百分含量是5-11％，砷的摩尔百分含量是0.8-1.7％；所述n型氧化镍薄膜的厚度为约300-600nm。
3.如权利要求1或2所述的激光二极管，其特征在于：
其中，在常温下，氮镁共掺杂的p型ZnO晶体薄膜的压电常数d33大于16pC/N，其电阻率大于2×1010Ω·cm。
4.如权利要求1-3任意之一所述的激光二极管，其特征在于：
可以采用多种金属材料来构成底电极和顶电极的材料，例如金、银或铜，也可以采用金属化合物材料来构成所述底电极和顶电极，例如ITO。
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