[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

权利要求书

1.等离子体处理装置，包括：

电介质部件，其划定由环状空间构成的环状腔室，该环状空间与开口宽度大于1mm的开口部相连通；

气体供给配管，其用于将气体导入所述环状腔室的内部；

线圈，其设置在划定所述环状腔室的电介质部件的附近；

高频电源，其与所述线圈连接；以及

基材载置台，其用于将基材与所述开口部相接近地配置。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述环状腔室为细长的形状，

所述开口部为细长且为线状，

所述线圈在与所述开口部的长边方向平行的方向具有细长的形状，

所述等离子体处理装置还包括移动机构，该移动机构能够使所述腔室和所述基材载置台在垂直于所述开口部的长边方向的方向上相对地进行移动。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述开口部的长度比构成环状腔室的环状空间的长轴径短。

4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

还包括制冷剂流路，其设置在所述电介质部件的内部，且与所述开口部的长边方向平行。

5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

还包括电介质管，其与所述电介质部件接合，并且与所述开口部的长边方向平行，其内部构成制冷剂流路。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述电介质部件包括外部电介质块和内部电介质块，

该外部电介质块构成所述环状空间的外侧面，

该内部电介质块被插入所述外部电介质块中，且构成所述环状空间的内侧面。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，

其构成为能够使所述开口部的端面与基材的距离为1mm以下。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

构成所述环状腔室的环状空间的宽度为1mm以上且10mm以下。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述开口部的开口宽度与构成所述环状腔室的环状空间的宽度相等。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

构成所述环状腔室的环状空间的长轴径为10mm以上。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述开口部的开口宽度可变。

12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

还包括平板状的外罩，其设置在所述基材载置台的周围，以在所述基材载置台上配置基材时包围所述基材的边缘部。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

所述外罩的表面与配置所述基材时的所述基材的表面构成为位于同一平面上。

14.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其中，

所述外罩的至少表面由绝缘材料构成。

15.等离子体处理方法，用于对基材的表面进行等离子体处理，该方法包括：

将气体供给到由开口部以外被电介质部件包围的环状空间构成的环状腔室内，同时对设置在所述环状腔室附近的线圈供给高频电力，从而使所述环状腔室内产生高频电磁场而产生等离子体的工序；以及

使与所述开口部相对地配置在所述开口部附近的基材曝露在所述等离子体的工序。

16.如权利要求15所述的等离子体处理方法，其中，

在曝露于所述等离子体中的所述基材的表面形成有绝缘膜。