[发明专利]一种薄膜电容器用复合基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜电容器用复合基板的制造方法，所述方法依次包括如下步骤：

（1）准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍，其余0.02重量%为多种杂质，所述多种杂质包括：0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.001-0.002重量%的银、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽；

（2）第一次轧制：将上述原料熔融后，对其进行第一次轧制，该第一次轧制所得的镍基板为箔片状，其厚度为3-5毫米；

（3）第一次热退火，步骤（2）所得的镍基板箔片进行第一次热退火，退火温度为650-800℃，退火时间为60分钟；

（4）第二次轧制，对步骤（3）所得的镍基板箔片进行第二次轧制，第二次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为1-2毫米；

（5）第二次热退火，将步骤（4）所得的镍基板箔片进行第二次热退火，退火温度为650-800℃，退火时间为40分钟；

（6）将步骤（5）所得的镍基板贴合到铜基板上进行第三次轧制，轧制后形成厚度为200-300微米的复合基板箔片；

（7）第三次热退火，将步骤（6）所得的复合基板箔片进行第三次热退火，退火温度为700-800℃，退火时间为30分钟；

（8）将步骤（7）所得的复合基板箔片裁出需要的尺寸后完成复合基板的制造。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：

所述薄膜电容器用复合基板的厚度为200-300微米，优选240微米。