[发明专利]一种测试NFTL的方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及嵌入式系统领域，尤其是涉及一种测试NFTL的方法及系统。

背景技术

存储设备作为程序和数据的主要载体，是目前嵌入式系统中不可或缺的硬件模块。其中，NAND闪存凭借其体积小、容量大、成本低以及掉电数据不丢失等一系列优点，成为常用的存储设备之一。

NAND闪存中包括多个chip(片选)，各个chip具有多个block(块)，各个block包括相同个数的page(页)，并且NAND闪存根据其型号的不同具有特定的chip个数、各个chip包括的block个数、各个block包括的page个数，以及各个page的大小。对NAND闪存的操作主要包括读、写以及擦除操作。

目前，由于NAND闪存的物理结构，导致其具有一些特性要求，例如，对NAND闪存执行读或者写操作时，都是以page为单位进行，而执行擦除操作时以block为单位进行；数据不能被直接覆盖，必须在空的或者已擦除的block内执行写操作；NAND闪存的block具有擦除的次数限制，当一个block的擦除次数大于最大擦除次数时，则该block成为坏块，不能继续使用。由于NAND闪存的诸多特性，目前通常通过一层中间层，即NAND Flash Trans lation Layer(NAND闪存转换层，缩写为NFTL)，对NAND闪存进行各种操作，以实现在嵌入式系统中更好的对NAND闪存进行管理。而NFTL在投入市场使用之前，通常要经过一系列的测试，以保证NFTL对NAND闪存的操作逻辑符合NAND闪存的特性要求。

目前，在现有技术中，对NFTL的测试主要是通过向NFTL输入不同的数据和操作指令，经过NFTL的处理后向NAND闪存执行相应的操作，根据操作的结果和测试输入的数据来测试NFTL的操作逻辑。例如，通过NFTL向NAND闪存存入数据，之后读取该数据，判断读取的数据和存入的数据是否一致；又例如，在通过NFTL向NAND存入数据后擦除该数据，判断数据是否成功擦除。可以看出，由于现有技术中，通过NAND闪存对NFTL进行测试，而NAND闪存由于物理结构的特性，擦除次数达到最大擦除次数的block会成为坏块，不能继续使用，从而造成NAND闪存损坏，尤其是NFTL的测试量很大时，会损坏大量的NAND闪存而导致资源浪费。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种测试NFTL的方法及系统，即使NFTL的测试量很大时，也能够避免损坏NAND闪存，从而减少资源的浪费。

为此，本发明解决技术问题的技术方案是：

本发明提供了一种测试NFTL的方法，所述方法用于测试NFTL的系统中，所述系统包括控制单元和机械硬盘，所述控制单元根据测试NFTL的目标NAND闪存的型号设置块的个数、各个块的块标识以及块的最大擦除次数，并且在机械硬盘中存储各个块的块标识对应的状态标识为初始标识、存储各个块的块标识对应的擦除次数为初始次数；

所述方法包括：

控制单元监测是否接收到NFTL的操作指令，其中，所述操作指令中具有操作类型和操作参数，所述操作参数中至少具有操作块标识；

如果接收到NFTL的操作指令，判断所述操作指令中的操作块标识对应的状态标识是否为坏块标识，如果是，则返回操作坏块提示并结束流程；如果否，则根据所述操作指令中的操作类型和操作参数对机械硬盘执行相应的操作，并且判断所述操作指令中的操作类型是否为擦除指令，如果为擦除指令，则将机械硬盘中与所述操作指令中的操作块标识对应的擦除次数加一；

其中，当机械硬盘存储的任一块标识对应的擦除次数达到最大擦除次数时，将机械硬盘中该块标识对应的状态标识存储为坏块标识。

优选地，所述控制单元根据NFTL的目标NAND闪存的型号设置各个块标识对应的页标识、以及各个页的页标识对应的读操作标识为读失败标识或读成功标识，并且在机械硬盘中存储各个页的页标识对应的读操作标识；所述操作参数还包括起始页标识和操作页个数；

则在所述根据所述操作指令中的操作类型和操作参数对机械硬盘执行相应的操作之前还包括：

判断所述操作指令中的操作类型是否为读操作，如果为读操作，则判断机械硬盘中与操作块标识、起始页标识和操作页个数对应的各个页标识所对应的读操作标识中是否存在读失败标识，如果是，则结束流程。