[发明专利]具有共掺杂薄膜的砷化镓基激光二极管

说明书

技术领域

本发明属于半导体领域，具体来说涉及一种具有共掺杂薄膜的砷化镓基激光二极管。

背景技术

氧化锌（ZnO）无论在晶格结构、晶胞参数还是在禁带宽度上都与GaN相似，且具有比GaN更高的熔点和更大的激子束缚能，又具有较低的光致发光和受激辐射的阈值以及良好的机电耦合特性、热稳定性和化学稳定性。因而在蓝紫光发光二极管、激光器及其相关光电器件方面的应用有巨大的潜力。在室温下，氧化锌（ZnO）的禁带宽度为3.37eV，自由激子结合能高达60meV，远大于GaN的激子结合能25meV和室温热离化能26meV，因此更容易在室温或更高温度下实现激子增益。但是，ZnO走向光电器件应用的关键是实现稳定可靠且低阻的p型ZnO薄膜。ZnO由于存在诸多本征施主缺陷(如Zn_i，V_o等)和非故意掺杂的H等杂质，通常表现为n型。这些施主缺陷的存在能对掺入的受主杂质产生强烈的自补偿效应，所以难以实现ZnO的P型掺杂。ZnO同质结紫外激射二极管需要做多层量子阱结构，而且所用p-ZnO迁移率较低、稳定性较差。发展结构简单、成本低廉、光增益高的紫外激光二极管具有重要的应用价值。

目前，业内已有通过共掺杂的方式来得到p型氧化锌薄膜的报道。例如，在氧化锌中掺入镁和锑来形成Mg-Sb共掺杂p型ZnO薄膜，其中镁(Mg)作为ZnO的掺杂剂可以有效地增大ZnO的禁带宽度，于是ZnO中的本征浅施主能级便会远离导带边，从而增大了其电离能，减弱了ZnO的n型导电特性。但是由于ZnO中存在的本征浅施主缺陷的自补偿作用，使得Sb很难被用来掺杂制备p型ZnO材料。

附图说明

图1是本发明提出的激光二极管的结构示意图；

发明内容：

本发明针对现有技术存在的问题，提出了一种具有氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管，该激光二极管的结构为：

n型氧化镍薄膜，其形成在砷化镓衬底的上表面上；氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜，其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上，以及底电极，其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上，顶电极，其形成在所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。

其中，所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的厚度为300-400nm，该氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜中Mg的摩尔百分含量是5-11％，砷的摩尔百分含量是0.8-1.7％；所述n型氧化镍薄膜的厚度为300-600nm。

其中，在常温下，氮镁共掺杂的p型ZnO晶体薄膜的压电常数d₃₃大于16pC/N，其电阻率大于2×10¹⁰Ω·cm。

具体实施方式：

下面通过具体实施方式对本发明进行详细说明。

实施例1

如图1所示，本发明的采用氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管的结构为：

在砷化镓衬底2的上表面上具有n型氧化镍薄膜3，该n型氧化镍薄膜3的厚度为300-600nm；氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜4，其形成在所述n型氧化镍薄膜3的上表面上，其中，所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜4的厚度为300-400nm，该氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜4中Mg的摩尔百分含量是5-11％，砷的摩尔百分含量是0.8-1.7％；并且，在常温下，氮镁共掺杂的p型ZnO晶体薄膜4的压电常数d₃₃大于16pC/N，其电阻率大于2×10¹⁰Ω·cm。

底电极1形成在砷化镓衬底2的下表面上，顶电极5形成在氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜4的上表面上。可以采用多种金属材料来构成底电极1和顶电极5的材料，例如金、银或铜。也可以采用金属化合物材料来构成所述底电极1和顶电极5，例如ITO。

实施例2

如图1所示，本发明的采用氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管的结构为：

在砷化镓衬底2的上表面上具有n型氧化镍薄膜3，该n型氧化镍薄膜3的厚度为400nm；氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜4，其形成在所述n型氧化镍薄膜3的上表面上，其中，所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜4的厚度为360nm，该氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜4中Mg的摩尔百分含量是9％，砷的摩尔百分含量是1.2％；并且，在常温下，氮镁共掺杂的p型ZnO晶体薄膜4的压电常数d₃₃大于16pC/N，其电阻率大于2×10¹⁰Ω·cm。