[发明专利]射频N型LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种射频N型LDMOS器件，其特征在于，包括：

P型半导体衬底，在所述P型半导体衬底中形成有P阱；

在所述半导体衬底上形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述半导体衬底之间隔离有栅介质层；所述多晶硅栅将部分所述P阱覆盖，且由所述多晶硅栅所覆盖的所述P阱表面用于形成沟道；

在所述多晶硅栅的两侧侧面上形成有侧墙；

在所述多晶硅栅的源端一侧的所述半导体衬底中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源区；所述N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘自对准，所述源区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘自对准；所述源区的结深大于所述N型轻掺杂漏注入区的结深；

在所述多晶硅栅的漏端一侧的所述半导体衬底中形成有第二N型轻掺杂漏注入区、N型漏区；所述第二N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘自对准，所述漏区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘相隔一段距离；所述漏区的结深小于所述第二N型轻掺杂漏注入区的结深、且所述漏区位于所述第二N型轻掺杂漏注入区中；

所述P阱向所述多晶硅栅的源端一侧延伸并将所述N型轻掺杂漏注入区和所述源区都包覆；所述P阱向所述多晶硅栅的漏端一侧延伸一段距离并和所述第二N型轻掺杂漏注入区相交叠、且所述P阱和所述漏区相隔一段距离，所述P阱和所述第二N型轻掺杂漏注入区的交叠区域越小、射频N型LDMOS器件的导通电阻越低。

2.一种射频N型LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在P型半导体衬底上形成P阱，所述P阱的形成区域通过光刻进行定义，所述P阱的形成区域要求包覆沟道的形成区域、后续形成的N型轻掺杂漏注入区和源区，以及和后续形成的第二N型轻掺杂漏注入区相交叠并和后续形成的漏区相隔一段距离；

步骤二、在所述半导体衬底之上形成栅介质层和多晶硅栅，所述多晶硅栅将部分所述P阱覆盖，且由所述多晶硅栅所覆盖的所述P阱表面用于形成沟道；

步骤三、进行N型轻掺杂漏注入，在所述多晶硅栅的源端一侧的所述P阱中形成N型轻掺杂漏注入区，所述N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准；

步骤四、进行第二N型轻掺杂漏注入，在所述多晶硅栅的漏端一侧的所述半导体衬底中形成第二N型轻掺杂漏注入区；所述第二N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准，所述P阱和所述第二N型轻掺杂漏注入区相交叠，所述P阱和所述第二N型轻掺杂漏注入区的交叠区域越小、射频N型LDMOS器件的导通电阻越低；

步骤五、在所述多晶硅栅的两侧侧面上形成侧墙；

步骤六、进行N型源漏注入同时形成源区和漏区；

所述源区位于所述多晶硅栅的源端一侧的所述半导体衬底中、且所述源区被所述阱区包覆，所述源区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘自对准，所述源区的结深大于所述N型轻掺杂漏注入区的结深；

所述漏区位于所述多晶硅栅的漏端一侧的所述半导体衬底中，所述漏区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘相隔一段距离；所述漏区的结深小于所述第二N型轻掺杂漏注入区的结深、且所述漏区位于所述第二N型轻掺杂漏注入区中、且所述P阱和所述漏区相隔一段距离。

3.如权利要求2所述的射频N型LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤三中所述N型轻掺杂漏注入的工艺条件为：注入杂质为磷或砷，注入剂量为1e¹⁴cm^-2～5e¹⁵cm^-2，注入能量为5KeV～15KeV。

4.如权利要求2所述的射频N型LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤四中所述第二N型轻掺杂漏注入的工艺条件为：注入杂质为磷，注入剂量为1e¹²cm^-2～5e¹³cm^-2，注入能量为20KeV～60KeV。

5.如权利要求2所述的射频N型LDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤六中所述N型源漏注入的工艺条件为：注入杂质为砷，注入剂量为1e¹⁵cm^-2～5e¹⁶cm^-2，注入能量为20KeV～50KeV。