[发明专利]后钝化结构中的电容器及其形成方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一金属焊盘；

第一钝化层，包括与所述第一金属焊盘重叠的部分；以及

电容器，包括：

底部电容器电极，位于所述第一钝化层下方，所述底部电容器包括所述第一金属焊盘；

顶部电容器电极，位于所述第一钝化层的所述部分上方；和

电容器绝缘体，包括所述第一钝化层的所述部分。

2.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

多个低k介电层，位于所述第一钝化层下方，所述第一钝化层包括非低k介电材料。

3.根据权利要求2所述的器件，进一步包括：第二钝化层，位于所述第一钝化层和所述第一金属焊盘下方，所述第二钝化层位于所述多个低k介电层上方并且包括非低k介电材料。

4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述底部电容器电极进一步包括：

第二金属焊盘，位于所述低k介电层的最上层中，其中，所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘重叠；以及

通孔，位于所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘之间且互连所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘。

5.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

附加金属焊盘，与所述第一金属焊盘齐平且由与所述第一金属焊盘相同的材料形成；

后钝化互连件(PPI)，位于所述附加金属焊盘上方且与所述附加金属焊盘相连接；以及

凸块下金属层(UBM)，位于所述PPI上方且与所述PPI相连接。

6.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

聚合物层，位于所述第一钝化层上方；以及

后钝化互连件(PPI)，包括位于所述聚合物层上方的第一部分和延伸到所述聚合物层中且与所述第一部分相连接的第二部分，其中，所述第二部分用作所述顶部电容器电极。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电容器位于半导体晶圆的划片槽中。

8.一种器件，包括：

多个低k介电层；

第一金属焊盘，位于所述多个低k介电层上方；

第一钝化层，包括与所述第一金属焊盘重叠的部分，所述钝化层包括非低k介电材料；

第一聚合物层，位于所述第一钝化层上方；以及

后钝化互连件(PPI)，包括：

第一部分，位于所述第一聚合物层上方；和

第二部分，穿透所述第一聚合物层以接触所述第一钝化层，所述第二部分与所述第一金属焊盘重叠以与所述第一金属焊盘一起形成电容器，并且所述第一钝化层与所述第一金属焊盘重叠的所述部分用作所述电容器的电容器绝缘体。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一钝化层包括下子层和位于所述下子层上方的上子层，所述下子层和所述上子层的材料不同，并且所述PPI的所述第二部分接触所述上子层的顶面。

10.一种方法，包括：

在第一金属焊盘上方形成钝化层，所述第一金属焊盘还位于多个低k介电层上方；

在所述第一钝化层上方形成第一聚合物层；

图案化所述第一聚合物层以形成开口，所述开口与所述第一金属焊盘重叠；以及

形成后钝化互连件(PPI)，所述PPI包括：

第一部分，位于所述第一聚合物层上方；和

第二部分，位于所述开口中，所述PPI的所述第二部分通过所述第一钝化层的部分与所述第一金属焊盘间隔开，并且所述PPI的第二部分、所述第一钝化层的所述部分和所述金属焊盘分别形成所述电容器的顶部电容器电极、电容器绝缘体和底部电容器电极。