[发明专利]半导体集成装置有效

专利信息
申请号: 201310067617.0 申请日: 2013-03-04
公开(公告)号: CN103311238B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 渕上千加志 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 何欣亭,李浩
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 集成 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体集成装置,包含主面形成静电保护电路的半导体衬底、对于所述主面而言下表面相对的金属焊盘、和在所述金属焊盘的上表面相对地形成的导电性凸台,其特征在于:

所述静电保护电路包含互相邻接的第1扩散区域及第2扩散区域,

所述第1扩散区域被所述第2扩散区域包围,所述导电性凸台是具有与所述第1扩散区域及所述第2扩散区域相对的相对面的板状电极,并且在所述导电性凸台与所述金属焊盘的相对面中,在与所述第1扩散区域相对的范围内,具有与所述金属焊盘接触的突起部。

2.如权利要求1所述的半导体集成装置,其特征在于:在所述相对面中,在除了所述突起部以外的区域和所述金属焊盘之间,形成有绝缘膜。

3.如权利要求1所述的半导体集成装置,其特征在于:所述第2扩散区域与电源线或接地线连接。

4.如权利要求1所述的半导体集成装置,其特征在于:

在所述金属焊盘和所述半导体衬底的主面之间,形成有绝缘层;

设置贯通所述绝缘层而将所述金属焊盘和所述第1扩散区域电连接的导电部件。

5.如权利要求1所述的半导体集成装置,其特征在于:所述静电保护电路,是将所述第1扩散区域作为漏极区域、将所述第2扩散区域作为源极区域的晶体管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拉碧斯半导体株式会社,未经拉碧斯半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310067617.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top