[发明专利]半导体集成装置有效
申请号: | 201310067617.0 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN103311238B | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 渕上千加志 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 何欣亭,李浩 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成 装置 | ||
1.一种半导体集成装置,包含主面形成静电保护电路的半导体衬底、对于所述主面而言下表面相对的金属焊盘、和在所述金属焊盘的上表面相对地形成的导电性凸台,其特征在于:
所述静电保护电路包含互相邻接的第1扩散区域及第2扩散区域,
所述第1扩散区域被所述第2扩散区域包围,所述导电性凸台是具有与所述第1扩散区域及所述第2扩散区域相对的相对面的板状电极,并且在所述导电性凸台与所述金属焊盘的相对面中,在与所述第1扩散区域相对的范围内,具有与所述金属焊盘接触的突起部。
2.如权利要求1所述的半导体集成装置,其特征在于:在所述相对面中,在除了所述突起部以外的区域和所述金属焊盘之间,形成有绝缘膜。
3.如权利要求1所述的半导体集成装置,其特征在于:所述第2扩散区域与电源线或接地线连接。
4.如权利要求1所述的半导体集成装置,其特征在于:
在所述金属焊盘和所述半导体衬底的主面之间,形成有绝缘层;
设置贯通所述绝缘层而将所述金属焊盘和所述第1扩散区域电连接的导电部件。
5.如权利要求1所述的半导体集成装置,其特征在于:所述静电保护电路,是将所述第1扩散区域作为漏极区域、将所述第2扩散区域作为源极区域的晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的