[发明专利]具有一体化金属芯的多层电子支撑结构

权利要求书

1.一种多层电子支撑结构，其包括具有一体化的通孔和特征层的电介质并且还包括平坦金属芯，所述平坦金属芯的特征在于具有小于100微米的厚度。

2.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述平坦金属芯被完全包封。

3.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述平坦金属芯包括铜。

4.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述平坦金属芯包括由铜种子层分隔开的两部分。

5.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，其中所述两部分不完全对齐，使得沿所述种子层的至少一个边缘存在台阶。

6.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，其中所述两部分进一步被亚微米粘附金属层分隔开，所述亚微米粘附金属层包括铬、钽、钛和钨的组别中的至少其一。

7.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，其中所述平坦金属芯还包括分隔所述两部分的中央阻挡金属层。

8.如权利要求7所述的多层电子支撑结构，其中所述中央阻挡金属层选自包括镍、金、镍层后续金层、金层后续镍层、锡、铅、锡层后续铅层、锡铅合金和锡银合金的组别中，并且所述中央阻挡金属层通过选自电镀、化学镀和PVD的组别中的镀覆方法进行涂覆。

9.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述电介质的材料包括聚合物。

10.如权利要求9所述的多层电子支撑结构，其中所述聚合物包括聚酰亚胺、环氧树脂、双马来酰亚胺、三嗪及其混合物。

11.如权利要求9所述的多层电子支撑结构，其中所述电介质的材料还包括无机夹杂物。

12.如权利要求9所述的多层电子支撑结构，其中所述无机夹杂物包括玻璃纤维和颗粒填料中的至少其一。

13.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述平坦金属芯的厚度小于80微米。

14.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述一体化通孔和特征层包括铜。

15.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述结构围绕所述平坦金属芯基本对称建立，在所述平坦金属芯的每侧具有相同数目的层。

16.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述结构围绕所述平坦金属芯不对称建立，在所述平坦金属芯的每侧具有不同数目的层。

17.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述平坦金属芯导热连接至所述多层电子支撑结构的至少一个外表面并用作散热器。

18.一种制造具有一体化平坦金属芯的多层电子支撑结构的方法，该方法包括以下步骤：

·获得牺牲基板；

·在所述牺牲基板上沉积抗蚀刻导电阻挡层；

·在所述阻挡层上制造第一半芯和周边特征结构；

·制造穿过所述第一半芯和周边特征结构的通孔柱；

·在所述第一半芯、周边特征结构和通孔柱上层压第一电介质层；

·蚀刻掉所述牺牲基板；

·通过电镀制造第二半芯和周边特征结构；

·将所述通孔柱延伸穿过所述第二半芯；

·在所述第二半芯、周边特征结构和通孔柱上层压电介质层；和

·减薄两侧上的所述介电层以暴露出所述通孔柱的末端。