[发明专利]具有一体化结构组件的多层电子支撑结构

权利要求书

1.一种多层电子支撑结构，其包括在X-Y平面中延伸的被通孔层隔开的至少一对相邻特征层；所述通孔层包括夹在所述两个相邻特征层之间的介电材料和在垂直于X-Y平面的Z方向上穿过所述介电材料跨越所述成对的相邻特征层的至少一个结构组件；其中所述至少一个结构组件的特征在于其在X-Y平面中的长尺寸为其在X-Y平面中的短尺寸的至少3倍，并且其中所述至少一个结构组件被完全包封在所述介电材料内并且与其周边电绝缘。

2.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个结构组件是非电子功能的。

3.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，包括具有导电通孔和特征结构的中央电子功能区和周边区，其中所述结构组件位于所述周边区内。

4.如权利要求3所述的多层电子支撑结构，所述具有导电通孔和特征结构的中央电子功能区用于通过倒装芯片技术连接芯片。

5.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，选自包括倒装芯片BGA（FCBGA）、倒装芯片芯片尺寸封装（FCCSP）、倒装芯片针网阵列（FCPGA）和倒装芯片焊盘栅格阵列（FCLGA）的组别。

6.如权利要求3所述的多层电子支撑结构，具有至少10mm×10mm且不超过60mm×60mm的平面尺寸。

7.如权利要求3所述的多层电子支撑结构，其中所述中央电子功能区具有至少5mm×5mm且不超过25mm×25mm的尺寸。

8.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个结构组件用于减轻残余应力和有助于平坦性。

9.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个结构组件沿所述支撑结构的边缘进行定位。

10.如权利要求3所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个结构组件定位在沿所述中央电子功能区的所有侧面的所述周边区中。

11.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，用于支撑芯片，并且包括围绕所述芯片径向布置的多个结构组件。

12.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个结构组件包括用于定位在所述支撑结构的拐角内的拐角角度。

13.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个结构组件设置在单个层内。

14.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个结构组件跨越多个层。

15.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，外形轮廓选自包括正方形、长方形、T形、倒T形、I形、J形和L形轮廓的组别。

16.如权利要求15所述的多层电子支撑结构，包括在特征层中的焊盘和在所述焊盘上的非圆柱形通孔。

17.如权利要求16所述的多层电子支撑结构，其中所述焊盘包括粘附层，所述粘附层包括选自包括钛、钽、钨和铬的组别中的金属。

18.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述结构组件沿其长度为波纹状或锯齿状的。

19.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料包括聚合物。

20.如权利要求19所述的多层电子支撑结构，其中所述聚合物包括聚酰亚胺、环氧树脂、双马来酰亚胺、三嗪及其混合物。

21.如权利要求20所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料还包括无机夹杂物。

22.如权利要求21所述的多层电子支撑结构，其中所述无机夹杂物包括玻璃纤维。

23.如权利要求21所述的多层电子支撑结构，其中所述无机夹杂物包括陶瓷颗粒。

24.一种用于增强多层电子支撑结构的方法，包括在所述多层电子支撑结构内引入至少一个结构组件。

25.如权利要求24所述的方法，其中所述至少一个结构组件包括非电子功能的细长金属夹杂物。

26.如权利要求24所述的方法，包括以下步骤：在底部介电层上沉积种子层，和在所述种子层上图案或面板镀覆所述至少一个结构组件的第一层。