[发明专利]具有全厚度同轴结构的多层电子结构

权利要求书

1.一种多层电子支撑结构，其包括在X-Y平面中延伸的多个介电层，并且包括在基本垂直于X-Y平面的Z方向上延伸穿过至少一个介电层的至少一个堆叠柱同轴对，其中所述堆叠通孔柱同轴对包括被环形通孔柱包围的中心柱，所述中心柱与所述环形通孔柱被介电材料隔离管所分隔开。

2.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述堆叠柱同轴对延伸穿过所述多层电子结构的多个层。

3.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述中心柱伸出超过所述环形柱。

4.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述堆叠柱同轴对延伸穿过所述多层电子结构的所有层。

5.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述中心柱的直径为至少30微米，所述环形柱的外径为至少150微米，并且所述介电材料的隔离管的厚度为至少30微米。

6.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述堆叠柱中的每个柱包括种子层和电镀层。

7.如权利要求6所述的多层电子支撑结构，其中所述种子层包括以下选择之一：

(i)选自Ti、Cr、Ta、W及其组合中的粘附层；

(ii)选自Ti、Cr、Ta、W及其组合中的粘附层以及后续的铜层；和

(iii)铜。

8.如权利要求6所述的多层电子支撑结构，其中所述电镀层包括铜。

9.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料包括聚合物。

10.如权利要求9所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料还包括陶瓷或玻璃增强物。

11.如权利要求9所述的多层电子支撑结构，其中所述聚合物包括聚酰亚胺、环氧树脂、双马来酰亚胺、三嗪和/或其共混物。

12.如权利要求10所述的多层电子支撑结构，其中所述增强物包括玻璃纤维。

13.如权利要求10所述的多层电子支撑结构，其中所述增强物包括颗粒填料。

14.一种制造如权利要求1所述的多层复合电子结构的方法，包括以下步骤：

(a)获得基板；

(b)用蚀刻阻挡层覆盖所述基板；

(c)在所述蚀刻阻挡层上施加种子层；

(d)在所述种子层上沉积光刻胶层；

(e)曝光所述光刻胶以形成包括至少一个柱同轴对的负性图案；

(f)所述负性图案中沉积金属层；

(g)剥除所述光刻胶层，留下直立的所述至少一个柱同轴对；

(h)移除所述种子层；

(i)在所述通孔层中的所述至少一个柱同轴对上层压介电材料；

(j)减薄所述介电材料以暴露出所述金属层。

15.如权利要求14所述的方法，还包括：通过重复步骤(c)-(h)来沉积附加层。

16.如权利要求14所述的方法，还包括：蚀刻掉所述基板的步骤。

17.一种制造如权利要求1所述的多层复合电子结构的方法，包括以下步骤：

(i)获得基板；

(ii)用蚀刻阻挡层覆盖所述基板；

(iii)施加通常为铜的种子层；

(iv)在所述种子层上沉积铜面板；

(v)在所述面板上涂覆光刻胶层；

(vi)曝光所述光刻胶以形成包括在柱同轴对之间的至少一个隔板的金属柱负性图案；

(vii)蚀刻掉所述铜，以留下包括直立的至少一个柱同轴对的金属柱图案；

(viii)剥除所述光刻胶；

(ix)将介电材料层压在所述通孔层中的所述至少一个柱同轴对上；和

(x)减薄所述介电材料以暴露出所述金属层。

18.如权利要求17所述的方法，还包括：通过重复步骤(iii)-(x)来沉积附加层。

19.如权利要求17所述的方法，还包括：蚀刻掉所述基板的步骤。

20.一种电子器件，包括如权利要求1所述的电子基板。