[发明专利]一种低功耗逐次逼近型模数转换器有效
| 申请号： | 201310068310.2 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103152051A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 贺林;杨家琪;姚立斌;林福江 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H03M1/38 | 分类号： | H03M1/38 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 逐次 逼近 型模数 转换器 | ||
1.一种低功耗逐次逼近型模数转换器，其特征在于，包括：逐次逼近逻辑电路，该逐次逼近控制逻辑电路包括由若干移位寄存单元组成的移位寄存器；
其中，所述移位寄存器中的移位寄存单元包括：第一、第二、第三、第四、第五与第六晶体管，第一与第二电位；
所述第一晶体管的源端耦合到所述第一电位，其漏端耦合到所述第二晶体管的漏端；所述第二晶体管的源端耦合到所述第三晶体管的漏端，所述第三晶体管的源端耦合到所述移位寄存单元的第二电位，所述第四晶体管的源端耦合到所述移位寄存单元的第一电位，所述第四晶体管的漏端耦合到所述第五晶体管的源端，所述第五晶体管的漏端耦合到所述第六晶体管的漏端，所述第六晶体管的源端耦合到所述移位寄存单元的第二电位；
所述第一与第三晶体管的栅端耦合到所述移位寄存单元的数据输入端，所述第二与第五晶体管的栅端耦合到所述移位寄存单元的时钟输入端，所述第一与第二晶体管的漏端耦合到第四晶体管的栅端，所述第六晶体管的栅端耦合到所述移位寄存单元的复位端；所述第六晶体管的漏端耦合到所述移位寄存单元的输出端。
2.根据权利要求1所述的低功耗逐次逼近型模数转换器，其特征在于，所述第一、第四、第五晶体管为阳性p型金属氧化物半导体MOS晶体管，第二、第三、第六晶体管为阴性n型MOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的低功耗逐次逼近型模数转换器，其特征在于，所述第一、第四、第五晶体管为n型MOS晶体管，第二、第三、第六晶体管为p型MOS晶体管。
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