[发明专利]一种包含可定制熔丝配置模块的可编程逻辑电路有效
申请号: | 201310068752.7 | 申请日: | 2013-03-05 |
公开(公告)号: | CN103633993B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 杨海钢;黄志洪;陈柱佳;张丹丹;李威;高丽江;杨立群 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | H03K19/177 | 分类号: | H03K19/177 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 包含 定制 配置 模块 可编程 逻辑电路 | ||
1.一种可定制的可编程逻辑电路,其包括关键位配置模块和普通位配置模块,所述关键位配置模块用于存储可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置信息,并控制所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置;所述普通位配置模块用于存储可编程逻辑电路中可编程资源普通位的配置信息,并控制可编程逻辑电路中可编程资源普通位的配置。
2.如权利要求1所述的可定制的可编程逻辑电路,其特征在于,
所述关键位配置模块包括非易失性存储器阵列,其用于存储所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置信息。
3.如权利要求2所述的可定制的可编程逻辑电路,其特征在于,
所述关键位配置模块还包括静态存储器单元阵列,其用于存储所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置信息,并在配置模式下控制所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置;而所述非易失性存储器阵列在定制模式下控制所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置。
4.如权利要求2所述的可定制的可编程逻辑电路,其特征在于,所述可编程逻辑电路还包括配置方式选择模块,其用于选择所述可定制熔丝配置模块工作在配置模式还是定制模式。
5.如权利要求1所述的可定制的可编程逻辑电路,其特征在于,
所述普通位配置模块包括静态存储器单元和提供固定高低电平的定制源,所述静态存储器单元用于存储所述可编程电路中可编程资源普通位的配置信息,并在配置模式下用于控制所述可编程电路中可编程资源普通位的配置;而所述定制源在定制模式下直接向所述普通位配置模块的输出提供固定的高低电平以控制所述可编程逻辑电路中可编程资源普通位的配置。
6.如权利要求1所述的可定制的可编程逻辑电路,其特征在于,
所述关键位配置模块的输出与所述普通位配置模块的输出按不同顺序构成序列,分别控制可编程逻辑电路中可编程资源关键位和普通位的配置。
7.如权利要求2所述的可定制的可编程逻辑电路,其特征在于,
所述静态存储器包括交叉耦合反相器、门控单元、一对互补输入位线和至少一对互补输出节点,其中所述一对互补输入位线在所述门控单元的控制下等效地向交叉耦合反相器写数据,所述至少一对互补输出节点用于等效地输出交叉耦合反相器中的数据。
8.如权利要求3所述的可定制的可编程逻辑电路,其特征在于,配置方式选择模块由多个开关选择单元构成,在模式选择信号的控制下,所述配置方式选择模块的多个开关选择单元分别选择所述关键位配置模块中熔丝阵列的输出或者所述关键位配置模块中静态存储器的输出来控制所述可编程逻辑电路的可编程资源关键位的配置。
9.如权利要求2所述的可定制的可编程逻辑电路,其特征在于,
所述非易失性存储器阵列包括熔丝阵列、反熔丝阵列和flash存储器阵列。
10.一种如权利要求1所述的可编程逻辑电路的定制方法,该方法包括:
步骤1、将所述可编程逻辑电路切换至配置模式,由所述关键位配置模块控制所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置,由所述普通位配置模块控制所述可编程逻辑电路中可编程资源普通位的配置,以调试该可编程逻辑电路,并最终确定可编程逻辑电路中可编程资源的配置信息,所述可编程资源的配置信息包括关键位配置信息和普通位配置信息;
步骤2、将所述普通位配置模块中的定制源连接至所述可编程逻辑电路中可编程资源普通位,由所述定制源向所述可编程逻辑电路中可编程资源普通位提供固定的高低电平,而所述固定的高低电平则与所述普通位配置信息相对应;
步骤3、将所述可编程逻辑电路切换至定制模式,将所述可编程资源关键位的配置信息固化在所述关键位配置模块中的非易失性存储器阵列中,由所述非易失性存储器阵列直接控制所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置。
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