[发明专利]硅晶太阳能芯片、包括其的电池、及其制造方法

权利要求书

1.一种硅晶太阳能电池芯片，包括：

一硅晶基板，其中所述硅晶基板具有一上表面、一下表面及一侧面；以及一绝缘层，仅形成于所述硅晶基板的所述侧面上。

2.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层仅覆盖所述硅晶基板的整个侧面，并与所述硅晶基板直接接触。

3.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述硅晶基板为一单晶硅基板、或一多晶硅基板。

4.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述硅晶基板为一n型掺杂的硅晶基板或p型掺杂的硅晶基板。

5.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层具有一电阻率不小于1x10⁸欧姆·米。

6.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层为含硅的绝缘层。

7.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层为氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅所构成的单层结构。

8.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层为选自由氧化硅、氮化硅、及氮氧化硅所构成的多层结构。

9.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层的厚度不小于45nm。

10.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述上表面、所述下表面、及所述侧面的至少一个为一具织构化结构的表面。

11.一种硅晶太阳能电池，包括：

一硅晶基板，其中所述硅晶基板具有一上表面、一下表面及一侧面，以及一绝缘层，仅形成于所述硅晶基板的所述侧面上，且所述硅晶基板具有一第一电性；

一抗反射层，设置于所述硅晶基板的上表面；

一掺杂层，设置于所述硅晶基板的上表面及所述抗反射层之间，其中所述掺杂层具有一第二电性；

一第一电极，设置于所述抗反射层之上并穿过所述抗反射层而与所述掺杂层电性连接；以及

一第二电极，设置于所述硅晶基板的下表面。

12.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层覆盖所述硅晶基板的整个侧面，并与所述硅晶基板直接接触。

13.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层具有一电阻率不小于1x10⁸欧姆·米。

14.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层为含硅的绝缘层。

15.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层为氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅所构成的单层结构。

16.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层为选自由氧化硅、氮化硅、及氮氧化硅所构成的多层结构。

17.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层的厚度不小于45nm。

18.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述掺杂层仅覆盖在所述硅晶基板的上表面。

19.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述抗反射层与所述硅晶基板的侧面由所述绝缘层所隔开。

20.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述硅晶基板为一n型硅晶基板，而所述掺杂层为一p型掺杂层。

21.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述硅晶基板为一p型硅晶基板，而所述掺杂层为一n型掺杂层。

22.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述抗反射层的材料与所述绝缘层材料相同。

23.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述第二电极并不与所述绝缘层接触。

24.一种硅晶太阳能电池芯片的制造方法，包括：

提供一硅晶晶棒，其中所述硅晶晶棒具有一上表面、一下表面及一侧面；

覆盖一绝缘材料于所述硅晶晶棒的侧面；以及

对所述硅晶晶棒的侧面进行切割，得到多个硅晶太阳能电池芯片。