[发明专利]PC/ASA抗静电表面材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310069309.1 申请日: 2013-03-05
公开(公告)号: CN103146169A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 任俊 申请(专利权)人: 苏州旭光聚合物有限公司
主分类号: C08L69/00 分类号: C08L69/00;C08L51/00;C08L25/12;C08K3/08
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林;郭晓敏
地址: 215129 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: pc asa 抗静电 表面 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种PC/ASA抗静电表面材料及其制备方法,属于高分子材料领域。

背景技术

聚碳酸酯(PC)/丙烯晴-苯乙烯-丙烯酸共聚物(ASA)属于聚碳酸酯合金类,具有优良的抗冲击、耐热性及优异的耐候性,被广泛应用于汽车、电子产品等方面,前景非常可观。但塑料制品极易产生静电而粘吸灰尘,严重时造成重大灾难。

聚碳酸酯(PC)/丙烯晴-苯乙烯-丙烯酸共聚物(ASA),具有优异的电绝缘性、延伸性、尺寸稳定性及耐化学腐蚀性,较高的强度、耐热性和耐寒性;还具有自熄、阻燃、无毒、可着色等优点,但也有缺点:和金属相比硬度不足,这导致它的外观较容易刮花,但其强度和韧性很好,足够长寿;和金属相比,无光泽,需要喷漆。

发明内容

为解决现有技术的不足,本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种硬度高、外观不易刮花、优选于汽车和电子产品表面使用的PC/ASA抗静电表面材料及其制备方法。

为了实现上述目标,本发明采用如下的技术方案:

PC/ASA抗静电表面材料,由以下重量份数的组分共混熔融而成:

前述的PC/ASA抗静电表面材料,所述的PC/ASA抗静电表面材料的厚度为1-10mm。

前述的PC/ASA抗静电表面材料,所述的相容剂为PE-g-ST、PP-g-ST、ABS-g-MAH、PE-g-MAH或PP-g-MAH。

前述的PC/ASA抗静电表面材料,所述的PC树脂的均重分子量为30000-40000.

前述的PC/ASA抗静电表面材料,所述的抗氧化剂为四(β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸)季戊四醇酯、β-(4-羟基苯基-3,5-二叔丁基)丙酸正十八碳醇酯、2,6-二叔丁基对甲酚、4,4'-硫代双(6-叔丁基-3-(甲基)苯酚)的一种或几种。

前述的PC/ASA抗静电表面材料,所述的金属粉末为锡铋合金Sn42Bi58。

前述的PC/ASA抗静电表面材料的方法,包括如下步骤:

S1加热金属粉末至熔融状态;

S2按预定重量份数混合PC树脂、ASA树脂、SAN树脂、相容剂、抗氧化剂、抗静电剂,将混合物加热至熔融状态;

S3将S1和S2的产物注入双螺杆挤出机,高速混合并熔融挤出,热熔涂布于待加工制品表面。

前述的PC/ASA抗静电表面材料的制备方法,所述的挤出温度为130-160度。

本发明的有益之处在于:本发明的PC/ASA抗静电表面材料,具有良好的机械性能,强度高,刚韧平衡性好,耐热、耐光、耐腐蚀,稳定性强,保证了产品的使用寿命,采用了金属材料,硬度高,使材料外观不易刮花;采用了金属材料,有光泽,无需喷漆。而且制备方法重复性好,过程可控,生产成本低,便于工业化大规模应用。

具体实施方式

按表1所示的重量进行配比各成分。

表1实施例1-4的各组分重量

其中,实施例1-4中,相容剂为ABS-g-MAH。PC树脂的均重分子量为30000-40000。抗氧化剂为四(β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸)季戊四醇酯。金属粉末为锡铋合金Sn42Bi58,熔点为138度。

制备过程如下:

S1按照表1预定组分比例,加热金属粉末至熔融状态;

S2按预定重量份数预先混合PC树脂、ASA树脂、SAN树脂、相容剂、抗氧化剂、抗静电剂,将混合物加热至熔融状态(70-100℃),保温10分钟;

S3将S1和S2的产物注入双螺杆挤出机,机身温度为160℃,一区温度为180℃,二区温度为200℃,三区温度为210℃,四区温度为215℃,主机转速为20-35rpm;每区停留1min。熔融挤出,热熔涂布于待加工制品表面,挤出温度为138-160度。

实施例1-4制备出的PC/ASA抗静电表面材料的性能见表2。

表2各实施例的性能及对比

其中,对比例为普通的不加抗静电剂和金属粉末的PC/ASA材料。

由此可见,本发明的PC/ASA抗静电表面材料,硬度更高,抗静电能力更强,而且保持了良好的强度、韧性和耐候性,能够满足在汽车领域中使用。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,上述实施例不以任何形式限制本发明,凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案,均落在本发明的保护范围内。

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