[发明专利]固体拍摄装置的制造方法及固体拍摄装置

权利要求书

1.一种固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体基板的光电转换元件形成区域、浮置扩散区形成区域以及所述光电转换元件形成区域和所述浮置扩散区形成区域之间的读取晶体管形成区域内，分别形成光电转换元件、包含于浮置扩散区内的扩散层以及读取晶体管；

在所述半导体基板的第一面侧，在所述扩散层上形成含有第一杂质的半导体层。

2.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

还包括：在形成所述半导体层后，进行加热处理。

3.根据权利要求2所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

通过所述加热处理，所述半导体基板内的金属杂质在所述第一半导体层内移动。

4.根据权利要求2所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

在所述加热处理后，所述浮置扩散区形成区域内的金属杂质的浓度比所述光电转换元件形成区域内的金属杂质的浓度高。

5.根据权利要求4所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述第一半导体层内的金属杂质的浓度比所述扩散层内的金属杂质的浓度高。

6.根据权利要求2所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

还包括：在所述加热处理后，除去所述第一半导体层。

7.根据权利要求6所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

还包括：在所述第一半导体层的除去时，将所述扩散层和所述第一半导体层的边界的含有金属杂质的掺杂区域除去，使所述扩散层的上表面后退到所述半导体基板的与第一面相对的第二面侧。

8.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

还包括：

在所述读取晶体管的栅电极及所述第一半导体层上，形成硅化物层，

隔着所述硅化物层，分别形成与包含所述第一半导体层及所述扩散层的所述浮置扩散区连接的接触部。

9.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

还包括：

在与所述浮置扩散区形成区域相邻的第一区域内，与所述读取晶体管的形成同时地形成第一晶体管，

在所述第一晶体管的源电极/漏电极扩散层上，与所述第一半导体层同时形成含有与所述第一半导体层相同材料的第二半导体层。

10.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

还包括：在形成所述第一半导体层后，在所述半导体基板的所述第一面上，形成层间绝缘膜。

11.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述第一半导体层包括由所述第一杂质生成的捕获部。

12.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述第一半导体层由含有磷、锗及碳中至少一种来作为所述第一杂质的硅层形成。

13.根据权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其特征在于，

所述第一半导体层通过外延生长而形成，作为捕获部的结晶缺陷形成于所述第一半导体层内。

14.一种固体拍摄装置，其特征在于，

包括：

光电转换元件，其设置于半导体基板内，且将入射的光转换为电荷；

浮置扩散区，其设置于所述半导体基板内，且传输所述电荷；和

读取晶体管，其在所述半导体基板内设置于所述浮置扩散区和所述光电转换元件之间，且控制所述电荷的传输，

其中，所述浮置扩散区包括设置于所述半导体基板内的扩散层和设置于所述扩散层上且含有第一杂质的第一半导体层。

15.根据权利要求14所述的固体拍摄装置，其特征在于，

所述浮置扩散区含有金属杂质，

所述浮置扩散区内的金属杂质的浓度比所述光电转换元件内的金属杂质的浓度高。

16.根据权利要求15所述的固体拍摄装置，其特征在于，

所述第一半导体层内的金属杂质的浓度比所述扩散层内的金属杂质的浓度高。