[发明专利]处理室内零件的冷却方法有效
申请号: | 201310070714.5 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN103311152B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 田中诚治;志村昭彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 腔室 冷却 基板处理装置 排气系统 载置台 室内 盖部 基部 结构复杂化 互相分离 快速冷却 压力调整 侧壁部 对基板 干蚀刻 整周 配置 开放 | ||
本发明提供一种不使基板处理装置的结构复杂化就能够快速冷却处理室内零件的处理室内零件的冷却方法。在用于对基板(G)实施干蚀刻处理的基板处理装置(10)中,对配置于由能够互相分离的基部(11a)和盖部(11b)构成的腔室(11)内的载置台(12)进行冷却时,将腔室(11)内的压力调整至大气压,使盖部(11b)与基部(11a)分开而在腔室(11)的侧壁部的整周上形成开放部(11d),从而使腔室(11)内和大气相连通,使用排气系统(14)在腔室(11)内形成气流,在判断载置台(12)的温度为60℃以下的情况下,停止排气系统(14)的工作而使腔室(11)内的气流停止。
技术领域
本发明涉及一种处理室内零件的冷却方法。
背景技术
在对基板实施所期望的等离子处理、例如干蚀刻处理的基板处理装置中,将基板载置在被配置于减压后的腔室(处理室)内的载置台(stage)上并将基板暴露在由处理气体在腔室内产生的等离子体中。因此,在等离子处理过程中,基板自等离子体受热而温度上升,用于载置基板的载置台也由于直接被输入来自等离子体的热量或被传递来自基板的热量而温度上升。
另外,近年来,开发了将基板设为高温而实施等离子处理的方法,与此相对应,有时在载置台中内置加热器且利用该加热器将载置台加热至260℃。
此外,通常在反复进行等离子处理时,因处理气体、基板上的处理对象物(例如,氧化膜)的成分而产生的反应生成物会堆积在腔室内零件、例如载置台、簇射头处,因此,为了将堆积的反应生成物去除,需要对腔室内零件进行定期的清洗。另外,由于等离子体中的阳离子的溅射等而消耗腔室内零件,因此需要对腔室内零件进行定期的更换。
为了对基板处理装置的腔室内零件进行清洗、更换、即维护,作业者需要从腔室内取出腔室内零件,但由于腔室内零件处于如上所述那样成为高温,因此,出于作业者的安全考虑,需要在维护前冷却腔室内零件。
例如,在专利文献1所示的载置台构造中,在载置台的内部形成有供制冷剂流动的制冷剂通路,在冷却载置台时,能够通过使制冷剂在制冷剂通路中流动来较快地冷却载置台。
此外,近年来,对于将上述基板设为高温而实施等离子处理,由于通过对处理基板时的序列进行研究而仅靠加热器等加热部件就能够控制温度,因此包括在内部不具有制冷剂通路的载置台的基板处理装置不断增加。在这样的基板处理装置中,在冷却载置台时,在向腔室内导入大气之后,放置规定时间。在该情况下,因载置台的热量向所导入的大气传递而使载置台的温度降低。
专利文献1:日本特开2010-219354号公报
然而,在将载置台的热量传递到所导入的大气的方法中,由于随着时间的经过,所导入的大气因热量的传递而温度上升,因此载置台的热量的传递效率降低而载置台的冷却需要长时间。
为了促进载置台的冷却,也想到了在载置台的内部形成制冷剂通路,但会使基板处理装置的结构变复杂并使成本上升。特别是,由于维护的频率并不那么高,因此若仅为了维护前的冷却而形成制冷剂通路,则投资回报率较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种不使基板处理装置的结构复杂化就能够快速冷却处理室内零件的处理室内零件的冷却方法。
为了实现上述目的,技术方案1提供一种处理室内零件的冷却方法,其是用于对配置在对基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室内的处理室内零件进行冷却的冷却方法,其特征在于,该冷却方法包括以下步骤:压力调整步骤,将上述处理室内的压力调整至大气压;处理室内开放步骤,开放上述处理室的侧壁部的至少一部分而使上述处理室内和大气相连通;气流形成步骤,使用用于对上述处理室内进行排气的排气装置而在上述处理室内形成上述大气的流动;温度判断步骤,判断上述处理室内零件的温度是否为规定的温度以下;以及气流停止步骤,在上述温度判断步骤中判断为上述处理室内零件的温度为规定的温度以下的情况下,停止上述排气装置的工作而使上述大气的流动停止。
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