[发明专利]一种低衰减单模光纤

权利要求书

1.一种低衰耗单模光纤，包括有纤芯层和包层，其特征在于在纤芯层外依次包覆第一内包层和第二内包层，所述的纤芯层半径R1为3.5μm~5μm，相对折射率差                                               为0.2%~0.4%，所述的第一内包层半径R2为6.5μm~11μm，相对折射率差为-0.06%~0%，所述的第二内包层半径R3为15μm ~30μm，相对折射率差范围为-0.02%~0.05%；最外层是外包层，外包层为纯二氧化硅石英玻璃层。

2.按权利要求1所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的纤芯层半径R1为4μm ~ 5μm，相对折射率差为0.2% ~ 0.35%。

3.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的纤芯层由掺氟(F)和锗(Ge)的石英玻璃组成，或由掺氟(F)和其它掺杂剂的石英玻璃组成，其中氟(F)的贡献量ΔF₁为-0.1% ~ -0.03%。

4.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的第一内包层半径R2为8μm~10μm，相对折射率差为-0.05% ~ -0.02%。

5.按权利要求3所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的第一内包层由掺氟(F)和/或其它掺杂剂的石英玻璃组成，其中氟(F)的贡献量ΔF₂为-0.3% ~ -0.1%。

6.按权利要求5所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的第一内包层氟(F)的贡献量ΔF₂为-0.25% ~ -0.2%。

7.按权利要求5所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的第二内包层由掺氟(F)和/或其它掺杂剂的石英玻璃组成，其中氟(F)的贡献量ΔF₃为-0.02% ~ -0.03%。

8.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述的外包层为OVD、VAD或APVD制备的纯二氧化硅石英玻璃层。

9.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长处的衰减系数小于或等于0.325dB/km；在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.190dB/km。

10.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长的模场直径为8.6~ 9.5μm。

11.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述光纤的光缆截止波长小于或等于1260nm。

12.按权利要求1或2所述的低衰耗单模光纤，其特征在于所述光纤的零色散波长为1300~1324nm，光纤在零色散波长处的色散斜率小于或等于0.092ps/nm²_*km。