[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W，寿命大于100小时。

OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能，但是目前研究的OLED仍然普遍存在流明效率较低的问题。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种流明效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极层，所述电荷产生层包括依次层叠的传输层、n型掺杂层及p型掺杂层，所述传输层层叠于所述第一电子传输层上；所述传输层的材料为第一电子传输材料；所述n型掺杂层的材料包括第二电子传输材料及掺杂于所述第二电子传输材料中的锂盐，所述锂盐与所述第二电子传输材料的质量比为0.1～0.4:1，所述第一电子传输材料与所述第二电子传输材料分别选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的一种；所述p型掺杂层的材料包括空穴注入材料及掺杂于所述空穴注入材料中的p型掺杂剂，所述空穴注入材料与所述p型掺杂剂的质量比0.005～0.05:1，所述空穴注入材料为三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的一种，所述p型掺杂剂为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺及二萘基-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺中的一种。

在其中一个实施例中，所述锂盐为碳酸锂、氟化锂、氯化锂及氧化锂中的一种。

在其中一个实施例中，所述传输层的厚度为5纳米～20纳米；所述n型掺杂层的厚度为1纳米～20纳米；所述p型掺杂层的厚度为2纳米～20纳米。

在其中一个实施例中，所述阳极基底的材料为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃及铟锌氧化物玻璃中的一种；

所述空穴注入层的材料为三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的一种；

所述第一空穴传输层的材料与所述第二空穴传输层的材料分别选自1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N,N'-（1-萘基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺中的一种；

所述第一发光层的材料与所述第二发光层的材料分别选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的一种；

所述第一电子传输层的材料与所述第二电子传输层的材料分别分别选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的一种；

所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯及氟化锂中的一种；及

所述阴极的材料为银、铝、铂及金中的一种。

在其中一个实施例中，所述空穴注入层的厚度为20纳米～80纳米；所述第一空穴传输层的厚度为20纳米～60纳米；所述第一发光层的厚度为5纳米～40纳米；所述第一电子传输层的厚度为40纳米～200纳米；所述第二空穴传输层的厚度为20纳米～60纳米；所述第二发光层的厚度为5纳米～40纳米；所述第二电子传输层的厚度为40纳米～200纳米；所述电子注入层的厚度为0.5纳米～10纳米；所述阴极层的厚度为60纳米～300纳米。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

提供阳极基底，在所述阳极基底上依次真空蒸镀形成空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层；