[发明专利]倒装芯片封装技术和配置有效

专利信息
申请号: 201310071623.3 申请日: 2013-03-06
公开(公告)号: CN103311204A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 弗兰克·J·尤斯基;罗伯特·C·哈特曼;保罗·D·班茨 申请(专利权)人: 特里奎恩特半导体公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李春晖;王娜丽
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 倒装 芯片 封装 技术 配置
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

封装衬底,所述封装衬底具有形成在所述封装衬底上的多个焊垫,所述多个焊垫被配置成承载形成在管芯上的相应的多个互连结构;以及

布置在所述封装衬底上的助熔底部填充材料,所述助熔底部填充材料包括助熔剂和环氧材料,所述助熔剂被配置成利于在所述多个互连结构中的各个互连结构和所述多个焊垫中的各个焊垫之间形成焊接接合部,所述环氧材料被配置成在形成所述焊接接合部期间硬化以机械地加固所述焊接接合部。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述助熔剂被配置成通过从所述各个互连结构和所述各个焊垫的能焊接的表面除去氧化物而利于所述焊接接合部的形成。

3.根据权利要求1所述的装置,还包括:

所述管芯,所述管芯利用所述焊接接合部、以倒装芯片配置的方式配置在所述封装衬底上,所述焊接接合部将所述多个互连结构中的所述各个互连结构附接至所述多个焊垫中的所述各个焊垫,其中,所述助熔底部填充材料被布置在所述管芯和所述封装衬底之间。

4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述助熔底部填充材料覆盖所述封装衬底的面向所述管芯的表面的一部分。

5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述助熔底部填充材料填充在所述管芯和所述封装衬底之间的区域。

6.根据权利要求4所述的装置,其中,所述助熔底部填充材料覆盖所述各个互连结构的所述焊接接合部;以及

其中,在所述助熔底部填充材料与所述管芯之间设置有空气间隙。

7.根据权利要求3所述的装置,其中,

所述封装衬底包括印刷电路板;以及

所述多个焊垫被布置在所述印刷电路板的面向所述管芯的表面上。

8.根据权利要求3所述的装置,其中,

所述封装衬底包括具有多个开口的挠曲带,所述多个开口形成在所述挠曲带的面向所述管芯的第一表面和所述挠曲带的被布置为与所述第一表面相反的第二表面之间;以及

所述各个焊垫被布置在所述挠曲带的所述第二表面上,所述各个互连结构通过所述多个开口中的各个开口与所述各个焊垫接合。

9.根据权利要求3所述的装置,还包括:

片状模制结构或带结构,所述片状模制结构或所述带结构包括形成在所述管芯上的环氧材料,以密封所述管芯的无源表面和所述管芯的与所述管芯的所述无源表面基本垂直的表面的至少一部分,其中,空气间隙将所述片状模制结构或所述带结构与所述封装衬底隔开。

10.根据权利要求9所述的装置,其中,空气间隙将所述片状模制结构或所述带结构与所述助熔底部填充材料隔开。

11.根据权利要求9所述的装置,其中,

所述片状模制结构或所述带结构的表面具有激光标刻;以及

所述片状模制结构或所述带结构的所述表面是平滑的以利于真空粘附。

12.根据权利要求9所述的装置,其中,所述带结构形成在所述管芯上,所述带结构包括第一层和第二层,所述第一层包括B阶材料并且所述第二层包括C阶材料。

13.根据权利要求1所述的装置,还包括:

使用焊膏而表面安装在所述封装衬底上的一个或更多个无源元件。

14.根据权利要求13所述的装置,其中,所述一个或更多个无源元件包括电容器、电感器、电阻器或滤波器中的至少一种。

15.一种方法,包括:

提供具有形成在封装衬底上的多个焊垫的所述封装衬底,所述多个焊垫被配置成承载形成在管芯上的相应的多个互连结构;以及

在所述封装衬底上沉积助熔底部填充材料,所述助熔底部填充材料包括助熔剂和环氧材料,所述助熔剂被配置成利于使用能焊接的材料在所述多个互连结构中的各个互连结构和所述多个焊垫中的各个焊垫之间形成焊接接合部,所述环氧材料被配置成在形成所述焊接接合部期间硬化以机械地加固所述焊接接合部。

16.根据权利要求15所述的方法,还包括:

以倒装芯片配置的方式将所述管芯附接至所述封装衬底。

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