[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.发光二极管，包括：

基板，其具有正、反两个主表面，至少一V型凹槽形成于所述基板的正表面上，所述V型凹槽表面为一反射面；

发光外延层，形成于所述基板上，其边缘在垂直方向上的投影位于V型凹槽的底部与内侧边缘之间，使得由发光外延层边缘发出的光入射到V型凹槽的镜面上，向外射出。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光外延层边缘区域发出的光线通过所述V型凹槽调整光路径。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述V型凹槽结构中两侧壁间夹角满足90度，以便垂直方向下发出的光在V型凹槽发生反射，向外侧产生平行位移，垂直方向上出光。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于： 所述V型凹槽的深度为5~20μm。

5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述V型凹槽结构中两侧壁间夹角为钝角，以便垂直方向下发出的光在V型凹槽发生反射，向外侧射出，扩大出光角度。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：在所述基板与发光外延层之间还包括反射结构，其在垂直方向上的投影位于所述 V型凹槽的内侧。

7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述反射结构为全方位反射镜，由低折射率介电层和金属反射层构成。

8.发光二极管的制作方法，包括在一基板上形成发光外延层，其特征在于：在所述基板上形成V型凹槽，其表面为反射面，所述发光外延层的边缘在垂直方向上的投影位于V型凹槽的底部与内侧边缘之间，使得由发光外延层边缘发出的光入射到V型凹槽结构的镜面上，向外侧射出。

9.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，包括步骤：

提供一生长衬底，在其上形成发光外延层；

提供一基板，在其正表面上形成至少一V型凹槽，其表面为反射面；

将所述发光外延层与所述基板连结，使得所述发光外延层的边缘在垂直方向上的投影位于V型凹槽的底部与内侧边缘之间，使得由发光外延层边缘发出的光入射到V型凹槽结构的镜面上，向外侧射出。

10.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，所述3）中形成的V型凹槽，其两侧壁间夹角满足90度，以便垂直向下发出的光在V型凹槽发生反射，向外侧产生平行位移，垂直向上出光。

11.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，所述3）中形成的V型凹槽，其两侧壁间夹角为钝角，以便垂直方向下发出的光在V型凹槽发生反射，向外侧射出，扩大出光角度。

12. 根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：还包括在发光外延层与基板之间形成反射结构，其在垂直方向上的投影位于所述 V型凹槽的内侧。

13.一种照明系统或显示系统，其特征在于：其包含一系列前述权利要求1~7所述的任意一种发光二极管。