[发明专利]输出电压为7V的GaAs激光光伏电池及其制作方法

权利要求书

1.一种输出电压为7V的GaAs激光光伏电池，其特征在于：所述的激光光伏电池包括隔离槽，该隔离槽将所述的光伏电池分隔成7个电池单元，包括1个第一电池单元，以及环绕设于所述第一电池单元四周的6个第二电池单元，电池单元之间串联连接。

2.根据权利要求1所述的输出电压为7V的GaAs激光光伏电池，其特征在于：所述的光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上的N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层，所述的隔离槽分别贯穿所述P型接触层、P型窗口层、P/N结电池和N型导电层。

3.根据权利要求2所述的输出电压为7V的GaAs激光光伏电池，其特征在于：所述的光伏电池还包括位于所述N型导电层和P/N结电池之间的势垒层。

4.根据权利要求1所述的输出电压为7V的GaAs激光光伏电池，其特征在于：所述第一电池单元的截面为圆形，所述的6个第二电池单元截面积相同，且其截面为弧形，所述的6个第二电池单元环绕所述第一电池单元构成一个圆柱体结构。

5.根据权利要求1所述的输出电压为7V的GaAs激光光伏电池，其特征在于：对于均匀的圆形激光光斑，所述的第一电池单元和每一个的第二电池单元的受光面积相等。

6.根据权利要求1所述的输出电压为7V的GaAs激光光伏电池，其特征在于：对于中心对称的非均匀圆形激光光斑， 所述的6个第二电池单元具有相同的受光面积，且所述的第一电池单元和每一个的第二电池单元的光电流相等。

7.权利要求1至6任一所述的输出电压为7V的GaAs激光光伏电池的制作方法，其特征在于，包括：

（1）在半绝缘衬底上生长N型导电层；

（2）在上述N型导电层上生长势垒层；

（3）在上述势垒层上依次生长N型吸收层和P型吸收层形成P/N结电池；

（4）在上述P/N结电池上生长P型窗口层；

（5）在上述P型窗口层上生长P型接触层用作欧姆接触；

（6）依次刻蚀P型接触层、P型窗口层、P/N结电池、势垒层、N型导电层直至露出半绝缘衬底或部分刻蚀半绝缘衬底以形成隔离槽；

（7）制备正电极、负电极、减反射层以及电极引线，获得目标产品。

8.根据权利要求7所述的激光光伏电池的制作方法，其特征在于：所述导电层为N型掺杂浓度1×10¹⁸ cm^-3以上的GaAs导电层；所述势垒层为掺杂浓度1×10¹⁸ cm^-3以上的N型AlGaAs或AlGaInP势垒层；所述P型窗口层为掺杂浓度在1×10¹⁸ cm^-3以上的窗口层；所述P型接触层为掺杂浓度在2×10¹⁸ cm^-3以上的GaAs接触层。

9.根据权利要求7所述的激光光伏电池的制作方法，其特征在于：所述步骤（7）中，依次刻蚀P型接触层、P型窗口层、P/N结电池、N型势垒层，直至露出N型导电层以形成负电极窗口，而后再经该负电极窗口于N型导电层上制备负电极，在P型接触层上制备正电极。