[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

其中产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；以及

形成在所述化合物半导体复合结构上的电极，

其中所述化合物半导体复合结构包括在产生有所述二维电子气的部分下方的p型半导体层，以及

所述p型半导体层包括比所述p型半导体层的其它部分包含有更大量的离子化受主的部分，所述部分位于所述电极下方。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述p型半导体层由选自p-GaN、p-AlGaN、p-InAlN和p-AlN中的材料形成。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述p型半导体层的所述其它部分包含用于受主钝化的杂质。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述p型半导体层的所述其它部分比包含有更大量的所述离子化受主的所述部分薄。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述p型半导体层的所述其它部分的离子化受主浓度比包含有更大量的所述离子化受主的所述部分的离子化受主浓度低。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中在所述p型半导体层中，包含有更大量的所述离子化受主的所述部分偏向所述电极的一侧。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述电极与所述化合物半导体复合结构接触。

8.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述电极设置在所述化合物半导体复合结构上并且在所述化合物半导体复合结构与所述电极之间设置有绝缘膜。

9.根据权利要求8所述的化合物半导体器件，其中所述电极与所述绝缘膜形成为填充在所述化合物半导体复合结构中形成的凹部。

10.一种用于制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括：

形成其中产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；以及

在所述化合物半导体复合结构上形成电极，

其中在形成所述化合物半导体复合结构时，在对应于待产生所述二维电子气的部分下方的部分中形成p型半导体层，以及

所述p型半导体层包括比所述p型半导体层的其它部分包含有更大量的离子化受主的部分，所述部分位于所述电极下方。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述p型半导体层由选自p-GaN、p-AlGaN、p-InAlN和p-AlN中的材料形成。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述p型半导体层的所述其它部分包含用于受主钝化的杂质。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述p型半导体层的所述其它部分比包含有更大量的所述离子化受主的所述部分薄。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述p型半导体层的所述其它部分的离子化受主浓度比包含有更大量的所述离子化受主的所述部分的离子化受主浓度低。

15.根据权利要求10所述的方法，其中在所述p型半导体层中，包含有更大量的所述离子化受主的所述部分偏向所述电极的一侧。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述电极与所述化合物半导体复合结构接触。

17.根据权利要求10所述的方法，其中在所述化合物半导体复合结构上形成所述电极并且在所述化合物半导体复合结构与所述电极之间设置有绝缘膜。

18.根据权利要求17所述的方法，其中将所述电极形成为填充在所述化合物半导体复合结构中形成的凹部且同时将所述绝缘膜设置在所述化合物半导体复合结构与所述电极之间。

19.一种电源电路，包括：

高压电路；

低压电路；以及

设置在所述高压电路与所述低压电路之间的变压器，

所述高压电路包括晶体管，所述晶体管包括：

其中产生有二维电子气的化合物半导体复合结构，以及

形成在所述化合物半导体复合结构上的电极，

其中所述化合物半导体复合结构包括在产生有所述二维电子气的部分下方的p型半导体层，以及

所述p型半导体层包括比所述p型半导体层的其它部分包含有更大量的离子化受主的部分，所述部分位于所述电极下方。

20.一种配置为放大输入高频电压并且输出所述经放大的电压的高频放大器，包括：

晶体管，所述晶体管包括：

其中产生有二维电子气的化合物半导体复合结构，以及

形成在所述化合物半导体复合结构上的电极，

其中所述化合物半导体复合结构包括在产生有所述二维电子气的部分下方的p型半导体层，以及

所述p型半导体层包括比所述p型半导体层的其它部分包含有更大量的离子化受主的部分，所述部分位于所述电极下方。