[发明专利]以高能辐射源形成多晶硅的方法无效

申请号：	201310073478.2	申请日：	2013-03-08
公开（公告）号：	CN103165422A	公开（公告）日：	2013-06-19
发明（设计）人：	叶昱均	申请（专利权）人：	上海和辉光电有限公司
主分类号：	H01L21/263	分类号：	H01L21/263
代理公司：	上海申新律师事务所 31272	代理人：	竺路玲
地址：	201506 上海市金山区***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	高能辐射源形成多晶方法
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【权利要求书】：

1.以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述高能辐射源为激光源，采用一个准分子雷射系统形成多晶硅，所述准分子雷射系统包括至少两个具有不同波长的所述激光源，二向色镜、反射镜以及基板；所述二向色镜和所述反射镜面对所述激光源并与所述激光源之间呈一定夹角以使所述激光源发射的激光垂直照射于所述基板上；所述反射镜位于所述二向色镜上方；在所述基板上放置半导体薄膜材料。

2.如权利要求1所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，采用玻璃或塑料材质制成所述基板。

3.如权利要求1所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，采用多层膜结构制作所述半导体薄膜材料。

4.如权利要求3所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，采用无机材料制作所述半导体薄膜材料。

5.如权利要求4所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述无机材料包括氮化硅，氧化硅和非晶硅。

6.如权利要求5所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，在所述基板上沉积氮化硅薄膜；在所述氮化硅膜表面上沉积氧化硅薄膜；在所述氧化硅薄膜表面上沉积非晶硅薄膜。

7.如权利要求6所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述沉积方法采用PVD，PECVD，LPCVD或ILD技术。

8.如权利要求1所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，分别采用紫外光源和可见光源形成两种所述激光源；所述紫外光源发射紫外光，所述可见光源发射可见光。

9.如权利要求8所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述紫外光源的波长范围为157nm-355nm。

10.如权利要求9所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述紫外光源的光源形状为矩形。

11.如权利要求10所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述紫外光源为脉冲光源。

12.如权利要求11所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述紫外光源的光源频率为100-4000Hz。

13.如权利要求12所述的以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述紫外光源的脉冲时间为10-100ns。