[发明专利]一种二极管及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201310073585.5 | 申请日: | 2013-03-07 |
公开(公告)号: | CN103151468A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 李金川 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二极管 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种二极管及其制作方法、显示装置。
背景技术
传统的有机发光二极管通常都是在玻璃基板上依序制备单层透明阳极、有机层(包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层),透明金属阴极以及钝化层。
这种发光二极管,为了能得到较好的透过率,通常将阴极做得非常薄,这样通常容易导致阴极电阻过大以及阴极与二极管周边电路接触不良,使得二极管的性能、可靠性比较差,使用寿命也不长,并且这种二极管的透过率也只有50%左右。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种二极管及其制作方法、显示装置,能够极大提升二极管的透过率和发光效率,增强二极管的可靠性,延长二极管的使用寿命。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种二极管,所述二极管包括:复合阳极,所述复合阳极包括透明阳极层和第一透明金属层,所述第一透明金属层形成于所述透明阳极层之上;透明金属氧化物层,所述透明金属氧化物层形成于所述第一透明金属层之上;主体结构层,所述主体结构层形成于所述透明金属氧化物层之上;复合阴极,所述复合阴极包括两层第二透明金属层,所述两层第二透明金属层形成于所述主体结构层之上。
其中,所述复合阴极还包括一层不透明金属层,所述不透明金属层形成于所述第二透明金属层的至少一条边缘上,所述不透明金属层的面积小于所述第二透明金属层面积的五分之一。
其中,所述二极管还包括增透膜层,所述增透膜层形成于所述不透明金属层之上。
其中,所述二极管还包括阻隔层,所述阻隔层形成于所述增透膜层之上,所述阻隔层为阻隔水氧的膜层。
其中,所述主体结构层包括分别依次形成于所述透明金属氧化物层之上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
其中,所述第一透明金属层是厚度为5-10nm的金或银金属层。
其中,所述透明金属氧化物层的厚度为1-5nm,所述金属氧化物的功函数与所述二极管的电子注入层材料的最高已占轨道值的差值为0~1eV。
其中,所述金属氧化物的功函数与所述二极管的电子注入层材料的最高已占轨道值的差值为0eV。
其中,所述两层第二透明金属层分别是厚度为5-15nm的镁金属层和镁、银金属层,所述不透明金属层是厚度为50-10nm的铝金属层。
其中,所述增透膜层的材料为用作所述二极管的空穴传输层材料或电子传输层材料。
其中,所述增透膜层是厚度为10-80nm的正溴丙烷层。
为解决上述技术问题,本发明的提供的另一个技术方案是,提供一种显示装置,包括上述的二极管以及盖板。
为解决上述技术问题,本发明采用的还有一个技术方案是:提供一种二极管的制作方法,包括:在玻璃基板上蒸镀一层透明阳极层,在所述透明阳极之上蒸镀一第一透明金属层,所述透明阳极层、所述第一透明金属层构成一个复合阳极;在所第一透明金属层上蒸镀一层透明金属氧化物层;在所述透明金属氧化物层上蒸镀主体机构层;在所述主体结构层上先后蒸镀两层第二透明金属层。
其中,所述在所述主体结构层上先后蒸镀两层第二透明金属层的步骤之后,还包括:在所述第二透明金属层的至少一条边缘之上蒸镀一层不透明金属层,所述不透明金属层的面积小于所述第二透明金属层面积的五分之一。
其中,所述在所述第二透明金属层的至少一条边缘之上蒸镀一层不透明金属层的步骤之后,还包括:在所述不透明金属层之上蒸镀一层增透膜层。
其中,所述在所述不透明金属层之上蒸镀一层增透膜层的步骤之后,还包括:在所述增透膜层之上覆盖阻隔层,所述阻隔层为阻隔水氧的膜层。
其中,所述阻隔层包括一个第三透明金属层与两个薄膜层,所述第三透明金属层形成于两个薄膜层之间。
其中,所述增透膜层的材料为用作所述二极管的空穴传输层材料或电子传输层材料。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明二极管结构使用复合阳极、透明金属氧化物层和复合阴极相结合的复合结构,能够使得二极管的各结构层在能级匹配上更好,加上镜面及微共腔效应,极大提升二极管从基板面的发光效率和亮度,增强二极管的发光性能和可靠性,延长二极管的使用寿命。
附图说明
图1是本发明二极管一个实施方式的结构示意图;
图2是本发明二极管另一个实施方式的结构示意图;
图3是本发明显示装置一个实施方式的结构示意图;
图4是本发明二极管的亮度对比示意图;
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