[发明专利]驱动电路、驱动模块以及电机驱动装置

权利要求书

1.一种驱动电路，包括：

驱动单元，包括多个驱动器，根据选择信号在所述多个驱动器中选择相应的驱动器以确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流水平；

定时控制单元，检测传送至所述半导体器件的所述驱动信号的相移时间，以及将所检测的时间与预设参考时间进行比较以控制所述驱动信号的所述相移时间；以及

驱动控制单元，根据来自外部的控制信号和所述定时控制单元的定时控制信号，提供用于在所述驱动单元的所述多个驱动器中选择要被驱动的驱动器的所述选择信号。

2.根据权利要求1的驱动电路，其中，所述定时控制单元包括：

检测器，检测传送至所述半导体器件的所述驱动信号的所述相移时间；

设置器，设置所述参考时间；以及

比较器，将由所述检测器检测的所述相移时间和由所述设置器设置的所述参考时间进行比较。

3.根据权利要求2的驱动电路，其中，所述定时控制单元检测所述驱动信号的上升时间和下降时间中的至少一个。

4.根据权利要求3的驱动电路，其中，所述检测器检测传送至所述半导体器件的所述驱动信号的所述上升时间和所述下降时间中的至少一个，

所述设置器设置参考上升时间和参考下降时间中的至少一个，以及

所述比较器将由所述检测器检测的所述上升时间和所述下降时间中的至少一个与由所述设置器所设置的所述参考上升时间和所述参考下降时间中的至少一个进行比较，并提供比较结果。

5.根据权利要求1的驱动电路，其中，所述驱动单元进一步包括根据所述驱动控制单元的控制信号进行操作的基本驱动器。

6.根据权利要求1的驱动电路，其中，所述多个驱动器在驱动功率终端和地之间彼此并行连接，并且分别包括在所述驱动功率终端和所述地之间堆叠的至少两个晶体管。

7.根据权利要求6的驱动电路，其中，所述两个晶体管是P沟道金属氧化物半导体（PMOS）晶体管和N沟道MOS（NMOS）晶体管。

8.根据权利要求5的驱动电路，其中，所述基本驱动器包括在驱动功率终端和地之间堆叠的PMOS晶体管和NMOS晶体管。

9.一种驱动模块，包括：

至少一个驱动电路，包括：驱动单元，包括多个驱动器，并根据选择信号在所述多个驱动器中选择相应的驱动器以确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流水平；定时控制单元，检测传送至所述半导体器件的所述驱动信号的上升时间和下降时间中的至少一个，将所检测的所述上升时间和所述下降时间中的至少一个和预设参考上升时间和预设参考下降时间中的至少一个进行比较，并将比较结果传送至驱动控制单元；以及所述驱动控制单元，根据来自外部的控制信号和所述定时控制单元的定时控制信号，提供用于在所述驱动单元的所述多个驱动器中选择要被驱动的驱动器的所述选择信号；以及

开关单元，包括根据所述至少一个驱动电路的所述驱动信号进行导通或断开的半导体器件。

10.根据权利要求9所述的驱动模块，其中，所述开关单元包括在操作功率终端和地之间堆叠的至少两个半导体器件。

11.根据权利要求10所述的驱动模块，其中，所述至少一个驱动电路包括分别驱动所述至少两个半导体器件的第一和第二驱动电路。

12.根据权利要求9所述的驱动模块，其中，所述定时控制单元包括：

检测器，检测传送至所述半导体器件的所述驱动信号的所述上升时间和所述下降时间中的至少一个；

设置器，设置所述参考上升时间和所述参考下降时间中的至少一个；以及

比较器，将所检测的所述上升时间和所述下降时间中的至少一个与所述预设参考上升时间和所述预设参考下降时间中的至少一个进行比较。

13.根据权利要求9所述的驱动模块，其中，所述驱动单元进一步包括根据所述驱动控制单元的控制信号进行操作的基本驱动器，

所述基本驱动器包括在驱动功率终端和地之间堆叠的PMOS晶体管和NMOS晶体管。

14.根据权利要求9所述的驱动模块，其中，所述多个驱动器在驱动功率终端和地之间彼此并行连接，并且分别包括在驱动功率终端和地之间堆叠的至少两个晶体管。