[发明专利]切削方法

说明书

技术领域

本发明涉及利用刀具对晶片等被加工物进行回转切削的切削方法。

背景技术

在用于实现半导体器件的轻薄短小化的技术中有各种各样的技术。作为一个示例，在形成于半导体晶片的器件表面形成多个高度大约10～100μm的被称为凸点的金属凸起物，使这些凸点与形成于配线基板的电极相对而直接进行接合，这被称为倒装焊接（flip chip bonding）的安装技术已实用化。

形成于半导体晶片的器件表面的凸点通过电镀或钉头凸点（stud bump）这样的方法而形成。因此，各个凸点的高度不均一，这样很难直接将多个凸点全部均一地与配线基板的电极接合。

此外，为了实现高密度配线，存在一种在凸点与配线基板之间夹着各向异性导电性薄膜（ACF）而进行接合的集成电路安装技术。采用该安装技术的情况下，若凸点的高度不够，则导致接合不良，因此需要一定以上的凸点高度。

因此，优选将形成于半导体晶片的表面的多个凸点切削成所希望的高度。作为将凸点切削成所希望的高度的方法，在例如日本特开2004-319697号公报中提出了采用刀轮来削取凸点的方法。

刀轮具备轮基座和刀具单元，所述刀具单元包括配设于轮基座的切削刃，在一边使刀轮旋转一边在切削刃与被加工物抵接的状态下使刀轮和被加工物滑动，从而完成切削。

为了对半导体晶片等被加工物高精度地进行切削而将其减薄，在切削时采用接触式的高度位置检测器对卡盘工作台的保持面的上表面高度和被加工物的上表面高度位置进行检测，根据检测出的被加工物的上表面高度位置而将切削刃定位在预定高度，对被加工物进行回转切削，将被加工物减薄至预定的厚度（参见日本特开2007-059523号公报）。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2004-319697号公报

专利文献2：日本特开2007-059523号公报

发明内容

另外，存在这样的问题：当高度位置检测器由于随着装置运转的发热及室温的温度变化等而发生热膨胀时，无法高精度地控制被加工物的完成厚度。

本发明正是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于提供能够高精度地控制被加工物的完成厚度的切削方法。

根据本发明，提供一种切削方法，其利用具有切削刃的刀具切削构件对被加工物进行切削，该切削方法的特征在于，该切削方法具备：保持步骤，利用卡盘工作台保持被加工物；被加工物厚度计算步骤，在实施所述保持步骤后，利用具有接触针的高度位置检测构件对该卡盘工作台的保持面的高度位置和保持在该卡盘工作台上的被加工物的上表面高度位置进行检测，从而计算出被加工物的厚度；冷却液供给步骤，始终向该接触针供给冷却液；以及切削步骤，在实施所述被加工物厚度计算步骤后，根据该被加工物的上表面高度位置而将刀具切削构件的切削刃定位在预定高度，旋转该切削刃并使该刀具切削构件和该卡盘工作台在水平方向相对移动，利用该刀具切削构件对被加工物的上表面进行回转切削。

根据本发明的切削方法，由于始终向接触针提供冷却液，因此能够防止高度位置检测器随着切削装置运转所伴随的发热及室温的温度变化而发生热膨胀，能够准确地检测出被加工物的上表面高度位置，从而将被加工物切削成预定厚度。

附图说明

图1是适合于实施本发明的切削方法的切削装置的立体图。

图2是沿图1的箭头A方向的视图。

标号说明

2：切削装置；

16：刀具切削单元；

30：刀轮；

32：刀具；

40：卡盘工作台；

72：第一高度位置检测器；

74：第二高度位置检测器；

74a：接触针；

76、78：冷却液供给喷嘴。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。参照图1，示出了适合于实施本发明的切削方法的切削装置2的立体图。切削装置2的外壳4由水平外壳部分6和垂直外壳部分8构成。

在垂直外壳部分8固定有沿上下方向延伸的一对导轨12、14。刀具（切削工具，cutting tool）切削单元16安装成能够沿着该一对导轨12、14在上下方向移动。刀具切削单元16经支承部20而安装于沿着一对导轨12、14在上下方向移动的移动基座18。

刀具切削单元16包括：主轴箱22，其安装于支承部20；主轴24，其能够旋转地容纳在主轴箱22中；以及伺服马达26，其用于旋转驱动主轴24。