[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，其特征在于，具备：

第1晶体管，对使第1节点和第2节点电导通或切断进行切换；及

开关控制电路，在上述第1晶体管关断的状态下，上述第1节点及上述第2节点之中的至少一方的电位比电源电位高规定电位以上的情况下，将上述第1晶体管的基板电位设定为上述第1节点及上述第2节点的电位之中高的电位。

2.根据权利要求1所记载的半导体集成电路，其中，

还具备反相器，该反相器生成使从外部输入的切换控制信号反转的反转信号，通过该反转信号对上述第1晶体管的导通或关断进行切换；

在上述第1节点及上述第2节点之中的至少一方的电位比电源电位高规定电位以上的情况下，上述开关控制电路将上述第1节点及上述第2节点的电位之中高的电位提供给上述反相器；及

上述反相器将从上述开关控制电路提供的电位提供给上述第1晶体管的栅极，而使上述第1晶体管关断。

3.根据权利要求1所记载的半导体集成电路，其中，

上述开关控制电路具备：

电源电位检测电路，判断上述第1节点的电位及上述第2节点的电位之中的至少一方是否高于电源电位；及

电位比较电路，在通过上述电源电位检测电路判断为上述第1节点的电位及上述第2节点的电位之中的至少一方高于电源电位的情况下，选择上述第1节点及上述第2节点之中高的电位并输出；

上述反相器将从上述电位比较电路输出的电位提供给上述第1晶体管的栅极，而使上述第1晶体管关断。

4.根据权利要求2所记载的半导体集成电路，其中，

上述开关控制电路具有基板偏压电路，该基板偏压电路在使上述第1节点和上述第2节点电导通时，将上述第1晶体管的基板电位、上述第1节点的电位和上述第2节点的电位设定为共通的电位，上述共通的电位被提供给上述反相器。

5.根据权利要求2所记载的半导体集成电路，其中，

上述开关控制电路具有电位迅速化电路，该电位迅速化电路在从上述电源电位检测电路输出判定结果之前，将上述第1节点的电位及上述第2节点的电位输入上述电位比较电路。

6.根据权利要求2所记载的半导体集成电路，其中，

上述第1晶体管是P型；

上述开关控制电路内的全部晶体管是P型。

7.根据权利要求2所记载的半导体集成电路，其中，

还具备N型的第2晶体管，该N型的第2晶体管根据上述切换控制信号，对使上述第1节点和上述第2节点电导通或切断进行切换。

8.根据权利要求7所记载的半导体集成电路，其中，

上述第1晶体管和上述第2晶体管互相同步地导通或关断。

9.根据权利要求7所记载的半导体集成电路，其中，

上述第1晶体管的基板电位与上述开关控制电路的输出节点连接，上述第2晶体管的基板电位设定为接地电位。

10.根据权利要求2所记载的半导体集成电路，其中，

上述反相器具有：

二极管，具有设定为电源电位的正极、及与上述开关控制电路的输出节点连接的负极；

P型的第3晶体管，具有与上述二极管的负极连接的源极、与上述反相器的输出节点连接的漏极、及上述切换控制信号被输入的栅极；及

N型的第4晶体管，具有设定为接地电位的源极、与上述反相器的输出节点连接的漏极、及上述切换控制信号被输入的栅极。

11.根据权利要求2所记载的半导体集成电路，其中，

上述反相器具有：

二极管，具有设定为电源电位的正极、及与上述开关控制电路的输出节点连接的负极；

P型的第3晶体管，具有与上述二极管的负极连接的源极、与上述反相器的输出节点连接的漏极、及上述切换控制信号被输入的栅极；及

阻抗元件，连接在上述反相器的输出节点和接地电位之间。

12.根据权利要求3所记载的半导体集成电路，其中，

上述电源电位检测电路具有第5晶体管及第6晶体管，上述第5晶体管的源极及漏极分别经由第1节点及第3节点与上述电位比较电路连接，上述第6晶体管的源极及漏极分别经由第2节点及第4节点与上述电位比较电路连接。