[发明专利]晶片检查用接口装置和晶片检查装置有效

专利信息
申请号: 201310074078.3 申请日: 2013-03-08
公开(公告)号: CN103308845A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 山田浩史 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶片 检查 接口 装置
【权利要求书】:

1.一种晶片检查用接口装置,其特征在于,包括:

探针卡,其在与晶片相对的面具备与形成于该晶片的多个半导体器件的电极对应设置的多个探针;

框架,其与该探针卡的与所述晶片相对的面的相反侧的面抵接而支承该探针卡;和

设置于该框架的加热部件。

2.如权利要求1所述的晶片检查用接口装置,其特征在于:

所述加热部件为线状加热器。

3.如权利要求2所述的晶片检查用接口装置,其特征在于:

所述框架具有多个矩形的贯通孔,所述线状加热器沿着多个所述贯通孔的各边设置。

4.如权利要求3所述的晶片检查用接口装置,其特征在于:

所述线状加热器沿着所述贯通孔的各边设置为格子状。

5.如权利要求2~4中任一项所述的晶片检查用接口装置,其特征在于:

所述线状加热器,设置于在所述框架的沿着厚度方向的截面中,与所述探针卡的抵接面一侧。

6.如权利要求1~5中任一项所述的晶片检查用接口装置,其特征在于:

所述探针卡的各探针被预先偏置地配置,使得当所述探针卡被加热至规定温度而膨胀时,分别与在该规定温度的所述晶片形成的所述半导体器件的各电极抵接。

7.如权利要求6所述的晶片检查用接口装置,其特征在于:

所述规定温度为-30℃~+100℃的范围内的温度。

8.如权利要求3~7中任一项所述的晶片检查用接口装置,其特征在于:

所述贯通孔为弹簧针用的贯通孔。

9.一种晶片检查装置,其特征在于,具备:

对形成于晶片的半导体器件的电特性进行检查的检查室;和

向该检查室进行所述晶片的搬入搬出的搬送机构,

所述检查室具有晶片检查用接口装置,

该晶片检查用接口装置具备:

探针卡,其在与晶片相对的面具备与形成于该晶片的多个半导体器件的电极对应设置的多个探针;

框架,其与该探针卡的与所述晶片相对的面的相反侧的面抵接而支承该探针卡;和

设置于该框架的加热部件。

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