[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

(a)半导体芯片，具有配置第1焊盘和与上述第1焊盘相邻的第2焊盘的表面；

(b)布线部件，具备搭载上述半导体芯片的上表面、与上述半导体芯片的上述第1焊盘电连接的第1外部端子及与上述半导体芯片的上述第2焊盘电连接的第2外部端子；

(c)第1金属线，使上述半导体芯片的上述第1焊盘与上述布线部件的上述第1外部端子电连接；

(d)第2金属线，使上述半导体芯片的上述第2焊盘与上述布线部件的上述第2外部端子电连接；以及

(e)密封体，密封上述半导体芯片、上述布线部件的一部分、上述第1金属线及上述第2金属线，

上述第1金属线经由第1金属焊球与上述第1焊盘电连接，

俯视时，在由上述第1金属焊球和上述第2焊盘夹着的上述第1焊盘的表面的一部分形成第1槽，

在上述第1槽内填充上述密封体的一部分，上述密封体由树脂构成，

俯视时，在上述第1槽和上述第2焊盘之间配置有绝缘膜，上述绝缘膜为氮化硅膜或氧化硅膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第2金属线经由第2金属焊球与上述第2焊盘电连接，

俯视时，在由上述第2金属焊球和上述第1焊盘夹着的上述第2焊盘的表面的一部分形成第2槽。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

俯视时，上述第1金属焊球配置为比上述第2金属焊球离上述半导体芯片的外缘部近。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

俯视时，上述第2焊盘表面的探痕比上述第1焊盘表面的探痕离上述半导体芯片的外缘部近。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

俯视时，未在由上述第1焊盘表面的探痕和上述第2焊盘夹着的上述第1焊盘的表面形成上述第1槽。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

俯视时，上述半导体芯片的上述第1焊盘配置为比上述第2焊盘离上述半导体芯片的外缘部近，并且上述第1焊盘的中心与上述第2焊盘的中心错位。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘膜覆盖由上述第1焊盘的端部和上述第1槽夹着的上述第1焊盘的表面。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

上述绝缘膜覆盖上述第1焊盘的外缘部。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1焊盘为矩形形状，

上述第1焊盘具有离上述第2焊盘最近的第1边和与上述第1边交叉的第2边。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1槽沿上述第1边形成，

覆盖沿上述第1边的上述第1焊盘的上述外缘部的上述绝缘膜的覆盖宽度与覆盖沿上述第2边的上述第1焊盘的上述外缘部的上述绝缘膜的覆盖宽度相等。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1槽沿上述第1边形成，

覆盖沿上述第2边的上述第1焊盘的上述外缘部的上述绝缘膜的覆盖宽度大于覆盖沿上述第1边的上述第1焊盘的上述外缘部的上述绝缘膜的覆盖宽度。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

覆盖沿上述第2边的上述第1焊盘的上述外缘部的上述绝缘膜的覆盖宽度比覆盖沿上述第1边的上述第1焊盘的上述外缘部的上述绝缘膜的覆盖宽度大上述第1槽的宽度的量。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体芯片具有与上述第1焊盘相邻的第3焊盘，

俯视时，在由上述第1金属焊球和上述第3焊盘夹着的上述第1焊盘的表面的一部分也形成上述第1槽。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1槽以包围上述第1金属焊球的方式形成于上述第1焊盘的表面。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述第1槽内配置有绝缘膜的一部分。