[发明专利]过电流保护电路及供电装置

权利要求书

1.一种过电流保护电路，对连接在电源端子和输出端子之间的输出晶体管进行控制，其特征在于，具备：

过电流限制电路，在从上述输出端子输出的输出电流小于预先设定的过电流限制电流值时，通过控制上述输出晶体管的栅极电压，使上述输出晶体管在线性区域动作，在上述输出电流达到上述过电流限制电流值时，通过控制上述输出晶体管的栅极电压，控制上述输出晶体管，以将上述输出电流保持为上述过电流限制电流值；

电流电压控制电路，通过控制上述输出晶体管的栅极电压，控制上述输出晶体管，以使上述输出端子的输出电压和上述输出电流成正比；以及

第一控制电路，在上述输出电压为预先设定的阈值电压以下时，使得执行上述电流电压控制电路对上述输出晶体管的控制，以使上述输出电压和上述输出电流成正比，在上述输出电压超过上述阈值电压时，停止上述电流电压控制电路对上述输出晶体管的控制。

2.根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于，

上述第一控制电路具备连接在上述电源端子和上述输出晶体管的栅极之间的第一导电型的第一控制晶体管，该第一控制晶体管具有与上述输出端子连接的栅极，

上述电流电压控制电路具有：

第一导电型的第一MOS晶体管，在上述电源端子和上述输出晶体管的栅极之间与上述第一控制晶体管串联连接；

第二导电型的第二MOS晶体管，该第二MOS晶体管的源极与上述电源端子连接，第二MOS晶体管的栅极与上述输出晶体管的栅极连接；

第二导电型的第三MOS晶体管，该第三MOS晶体管的漏极与上述第二MOS晶体管的漏极连接，第三MOS晶体管的源极接地，进行二极管连接；

第二导电型的第四MOS晶体管，该第四MOS晶体管的漏极与上述第一MOS晶体管的栅极连接，第四MOS晶体管的源极接地，第四MOS晶体管的栅极与上述第三MOS晶体管的栅极连接；

第一导电型的第五MOS晶体管，连接在上述电源端子和上述第四MOS晶体管的漏极之间；

第一导电型的第六MOS晶体管，该第六MOS晶体管的源极与上述电源端子连接，第六MOS晶体管的栅极与上述第五MOS晶体管的栅极连接；

第一电阻，连接在上述第六MOS晶体管的漏极和接地之间；以及

第一运算放大器，具有反转输入端子、非反转输入端子及输出端子，上述反转输入端子与上述输出端子连接，上述非反转输入端子与上述第六MOS晶体管的漏极连接，上述输出端子与上述第五MOS晶体管及第六MOS晶体管的栅极连接，上述第一运算放大器控制上述第五MOS晶体管及第六MOS晶体管的栅极电压，以使上述输出电压和上述第六MOS晶体管的漏极的电压相等。

3.根据权利要求2所述的过电流保护电路，其特征在于，

上述第一控制电路具备第一导电型的第二控制晶体管，该第二控制晶体管在上述电源端子和上述第四MOS晶体管的漏极之间与上述第五MOS晶体管串联连接，上述第二控制晶体管的栅极与上述第一控制晶体管的栅极连接。

4.根据权利要求2所述的过电流保护电路，其特征在于，

上述电流电压控制电路还具有输出恒定电流的第一恒流源，该第一恒流源连接在上述电源端子和上述第五MOS晶体管的漏极之间。

5.根据权利要求3所述的过电流保护电路，其特征在于，

上述电流电压控制电路还具有输出恒定电流的第一恒流源，该第一恒流源连接在上述电源端子和上述第五MOS晶体管的漏极之间。