[发明专利]一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷

权利要求书

1.一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷，所述介电陶瓷介质损耗小于0.001，介电常数为125-132，介电调谐率为57-65 %，其特征在于：所述介电陶瓷的化学式为：（Bi_2-xA_x）(Mg_1/3Nb_2/3-yB_y)₂O₇，0.01≤x≤0.5，A为Li或Y；0.02≤y≤0.8，B=Ti、Sn或Zr。

2.如权利要求1所述的一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷，其特征在于：所述介电陶瓷的化学式为：（Bi_2-xLi_x）(Mg_1/3Nb_2/3-ySn _y)₂O₇，0.01≤x≤0.5，0.02≤y≤0.8。

3.如权利要求1所述的一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷，其特征在于：所述介电陶瓷的化学式为：（Bi_2-xLi_x）(Mg_1/3Nb_2/3-ySn _y)₂O₇，0.05≤x≤0.3；0.1≤y≤0.5。