[发明专利]一种在r面蓝宝石衬底上制备非极性GaN薄膜方法有效
| 申请号： | 201310075325.1 | 申请日： | 2013-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN103151247A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 邢艳辉;韩军 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 制备 极性 gan 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在r面蓝宝石衬底上制备非极性GaN薄膜方法，其特征在于包括如下步骤：
采用r面蓝宝石衬底；
在衬底上沉积20nm- 25nm缓冲层；在沉积缓冲层时，反应室压力为500torr，生长温度为520-530℃，载气为氢气；
在低V/III比下生长生长非极性（11-20）GaN薄膜时，反应室温度为1030-1050℃，反应室压力为 500torr，V/III比为180-220，生长时间为25-35min，载气为氢气；
在高V/III比下生长生长非极性（11-20）GaN薄膜时，反应室温度为1030-1050℃，反应室压力为 500torr，V/III比为2800-3200，生长时间为40-50min，载气为氢气；
在低V/III比下生长生长非极性（11-20）GaN薄膜时，反应室温度为1030-1050℃，反应室压力为 500torr，V/III比为180-220，生长时间为45-55min，载气为氢气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
