[发明专利]一种闪存存储器的制备方法

权利要求书

1.一种闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法在依次形成位于浮栅上的介质层和控制栅之前至少包括：

1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中通过制备隔离结构以隔离出有源区，并在所述有源区上依次形成隧穿氧化层及浮栅，而后进行平坦化处理；

2)对所述隔离结构进行湿法刻蚀，直至距所述浮栅表面第一深度处，在浮栅间形成沟槽以暴露出部分浮栅；

3)沿该沟槽继续对所述隔离结构进行干法刻蚀，直至该隔离结构的表面与有源区顶部的沟道拐角之间的最短距离为第一距离截止，以在所述浮栅之间的隔离结构中形成横截面为倒梯形的沟槽，所述沟槽底部与浮栅表面之间的距离为第二深度，所述干法刻蚀一方面形成了所述沟槽，另一方面同时在所述浮栅顶部拐角处形成倒角，以降低相邻存储单元浮栅间的耦合干扰；所述干法刻蚀只在深度上进行刻蚀，在横向未刻蚀，提高了各个存储单元的有源区沟道拐角与隔离结构表面之间最短距离的一致性；所述第一距离的范围是30～35nm。

2.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：第一深度与第二深度的比值范围是0.2～0.7。

3.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述倒角与水平方向的夹角为30～90度。

4.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述湿法刻蚀时采用氢卤酸或醋酸溶液，其中，所述氢卤酸至少包括氢氟酸或氢溴酸。

5.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀至少包括反应离子刻蚀、感应耦合等离子体刻蚀或高浓度等离子体刻蚀。

6.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述半导体衬底材料为硅、硅锗、绝缘层上硅、绝缘层上硅锗或绝缘层上锗。

7.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述隔离结构为浅沟槽隔离或绝缘介质隔离。