[发明专利]射频开关装置

权利要求书

1.一种射频开关装置，其特征在于，包括：

一信号馈入端；

一第一连接端；

一第一晶体管，位于该信号馈入端及该第一连接端之间，其中该第一晶体管连接一第一电压，并通过该第一电压控制该第一晶体管的开启或关闭；

一第二连接端；

一第二晶体管，位于该信号馈入端及该第二连接端之间，其中该第二晶体管连接一第二电压，并通过该第二电压控制该第二晶体管的开启或关闭；

一第三晶体管，电性连接该第一晶体管，其中该第三晶体管连接一第三电压；

一第四晶体管，电性连接该第二晶体管，其中该第四晶体管连接一第四电压；

一第一可变电容，连接该第三晶体管；及

一第二可变电容，连接该第四晶体管。

2.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，该第一可变电容及该第二可变电容为变容二极管、金属氧化物半导体变容二极管或N型/P型金属氧化物半导体晶体管。

3.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，还包括一第五电压、一第六电压、一第七电压及一第八电压，该第五电压及该第七电压连接该第一可变电容，并通过该第五电压及该第七电压调整该第一可变电容的电容值，而该第六电压及该第八电压则连接该第二可变电容，并通过该第六电压及该第八电压调整该第二可变电容的电容值。

4.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，还包括一第三可变电容及一第四可变电容，且该第三可变电容连接该第三晶体管，而该第四可变电容则连接该第四晶体管。

5.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，该信号馈入端连接一天线单元，该第一连接端连接一接收单元，而该第二连接端则连一发射单元。

6.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，还包括：

一第一串联路径，位于该信号馈入端与该第一连接端之间；

一第二串联路径位于该信号馈入端与该第二连接端之间；

一第一并联路径，连接该第一串联路径及一接地端；及

一第二并联路径，连接该第二串联路径及一接地端，其中该第一晶体管位于该第一串联路径，该第二晶体管位于该第二串联路径，该第三晶体管及该第一可变电容位于该第一并联路径，而该第四晶体管及该第二可变电容则位于该第二并联路径。

7.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，还包括一第三可变电容及一第四可变电容，且该第三可变电容连位于该第一并联路径，而该第四可变电容则位于第二并联路径。

8.一种射频开关装置，其特征在于，包括：

一信号馈入端；

一第一连接端；

一第一晶体管，位于该信号馈入端及该第一连接端之间，其中该第一晶体管连接一第一电压，并通过该第一电压控制该第一晶体管的开启或关闭；

一第二连接端；

一第二晶体管，位于该信号馈入端及该第二连接端之间，其中该第二晶体管连接一第二电压，并通过该第二电压控制该第二晶体管的开启或关闭；

一第三晶体管，电性连接该第一晶体管；

一第四晶体管，电性连接该第二晶体管，其中该第三晶体管及该第四晶体管连接一偏压信号；

一第一可变电容，连接该第三晶体管，其中该第三晶体管及该第一变容二极管通过至少一电阻连接该第一电压；及

一第二可变电容，连接该第四晶体管，其中该第四晶体管及该第二变容二极管通过至少一电阻连接该第二电压。

9.如权利要求8所述的射频开关装置，其特征在于，该第一可变电容及该第二可变电容为变容二极管、金属氧化物半导体变容二极管或N型/P型金属氧化物半导体晶体管。

10.如权利要求8所述的射频开关装置，其特征在于，还包括一第三变容二极管及一第四变容二极管，且该第三变容二极管连接该第三晶体管，而该第四变容二极管则连接该第四晶体管。

11.如权利要求10所述的射频开关装置，其特征在于，该第三晶体管及该第三变容二极管通过至少一电阻连接该第一电压，而该第四晶体管及该第四变容二极管则通过至少一电阻连接该第二电压。

12.如权利要求8所述的射频开关装置，其特征在于，该信号馈入端连接一天线单元，该第一连接端连接一接收单元，而该第二连接端则连接一发射单元。