[发明专利]一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法

权利要求书

1.一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：

①多孔硅表面化学镀前处理：首先采用HF水溶液去除多孔硅表面氧化层，然后用去离子水清洗；

②采用化学镀工艺：在经①化学镀前处理的多孔硅表面上沉积一层金属电极，所述金属电极成分为Ni-P合金或Ni-B合金，厚度为0.5~2μm；

③对含金属电极的多孔硅进行干燥处理；

④对含金属电极的多孔硅进行快速退火处理；

⑤采用光刻工艺将金属电极刻蚀成指定电极形状，完成电极制备。

2.根据权利要求1所述的用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，其特征在于，作为本发明更进一步的改进：在步骤①中所述HF的水溶液成分为HF：H₂O=2:1，反应时间为10s。

3.根据权利要求1所述的用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，其特征在于，在步骤②中所述金属电极成分为Ni-P合金，则化学镀液组成为NiSO₄·6H₂O:20g/L、NaH₂PO₂: 30 g/L、Na₃C₆H₅O₇ :10g/L和NH₄Cl: 30 g/L；所述金属电极成分为Ni-B合金，则化学镀液组成为NiCl₂·6H₂O：25 g/L~30 g/L、KBH₄：0.5 g/L ~3 g/L、乙二胺55 ml/L ~70ml/L；最后使用28%的氨水将化学镀液PH调节至11，反应温度为35℃，反应时间为30min。

4.根据权利要求1所述的用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，其特征在于，在步骤③中所述干燥处理温度为100~120℃，干燥设备为电烘烤箱。

5.根据权利要求1所述的用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，其特征在于，在步骤④中所述快速退火处理温度为300~500℃，在氩气气氛下退火30s~1min。