[发明专利]碳化硅晶片的退火方法无效
| 申请号： | 201310077884.6 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103114336A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 姜涛;严成锋;孔海宽;刘熙;陈建军;高攀;忻隽;肖兵;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 退火 方法 | ||
1.一种碳化硅晶片的退火方法，其特征在于，包括：将经初加工的碳化硅晶片置于退火炉中，在惰性气体或还原性气体的保护下，缓慢升温1～8小时至退火温度1200～1800℃，在该退火温度恒温保温0.1～5小时，然后缓慢降温1～10小时至室温。
2.根据权利要求1所述的退火方法，其特征在于，以第一升温速率升温至1000℃，然后以小于所述第一升温速率的第二升温速率升温至退火温度；以第一降温速率降温至1000℃，然后以大于所述第一降温速率的第二降温速率降温至室温。
3.根据权利要求2所述的退火方法，其特征在于，所述第一升温速率为500℃/小时以下，所述第二升温速率为400℃/小时以下，所述第一降温速率为400℃/小时以下，所述第二降温速率为500℃/小时以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的退火方法，其特征在于，在恒温保温过程中，所述退火炉的内部温度梯度为3℃/cm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的退火方法，其特征在于，退火过程中腔体压力为1～10万帕。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的退火方法，其特征在于，经初加工的碳化硅晶片为切割片、表面磨削片、单面抛光片或双面抛光片。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的退火方法，其特征在于，经初加工的碳化硅晶片的厚度为100μm～1cm，尺寸为2～6英寸。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的退火方法，其特征在于，经初加工的碳化硅晶片的晶型为3C-SiC、6H-SiC、4H-SiC或15R-SiC。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的退火方法，其特征在于，经初加工的碳化硅晶片为导电型或半绝缘型。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的退火方法，其特征在于，所述退火炉使用石墨加热、感应加热或电阻加热。
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