[发明专利]一种提高非晶硅薄膜电导率的方法有效
| 申请号： | 201310078158.6 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103132018A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李伟;郭安然;何剑;王垠;余峰;王冲;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 非晶硅 薄膜 电导率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高非晶硅薄膜电导率的方法，其特征在于，包括以下步骤：
①对绝缘衬底基片进行清洗，分别用丙酮、乙醇溶液和去离子水进行超声清洗，使基片表面洁净；
②采用射频磁控溅射方法，纯钌块被对称镶嵌于硅靶表面；
③首先将沉积室抽至高真空并加热基片，然后预溅射，最后沉积非晶硅钌合金薄膜；
④对步骤③得到的薄膜进行原位退火处理；
⑤在步骤④得到的薄膜表面制备金属电极，采用矩形金属共面电极，用于非晶硅钌合金薄膜的电导率测试。
2.根据权利要求1所述的提高非晶硅薄膜电导率的方法，其特征在于，步骤①中所述的丙酮和乙醇均为分析纯，超声时间均为15min；步骤②中所述靶材为纯硅靶，并将纯钌块对称镶嵌于溅射轨迹上；钌块与硅靶溅射轨迹面积之比决定了薄膜的钌掺入量，钌/硅的面积比为1%~8%；步骤③中所述射频磁控溅射本底真空为10-4Pa，基片温度为300℃，溅射功率为200W；步骤④中所述退火处理为原位真空退火，温度为200℃，时间为30min；步骤⑤中所述金属电极材料采用镍铬、钛，制备方法采用热蒸发、磁控溅射真空沉积技术。
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