[发明专利]由氮等离子体处理的ITO膜及使用该ITO膜的有机电致发光设备有效
申请号: | 201310078245.1 | 申请日: | 2004-05-19 |
公开(公告)号: | CN103199201A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 孙世焕;姜旼秀;全相映;金钟杰 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;刘晔 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 ito 使用 有机 电致发光 设备 | ||
1.一种制备包含氧化铟锡的用于有机电致发光设备的阳极的方法,该方法包括以下步骤:使用氮等离子体处理氧化铟锡膜的表面,从而使该氧化铟锡表面的逸出功降低。
2.根据权利要求1所述的制备包含氧化铟锡的用于有机电致发光设备的阳极的方法,其中,所述氮等离子体使用的放电气体包含氮气;氨气;氮气和氨气的混合气体;或者氮气和氢气的混合气体。
3.一种有机电致发光设备,其包括衬底、阳极、发射层和阴极,其中,所述阳极为通过权利要求1限定的方法获得的包含氧化铟锡的用于有机电致发光设备的阳极。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光设备,其中,所述有机电致发光设备进一步包括空穴注入层,所述空穴注入层包括六氮杂苯并菲六腈。
5.根据权利要求3所述的有机电致发光设备,其中,所述有机电致发光设备在阳极上进一步包括空穴隧道层,所述空穴隧道层包括由式1e表示的化合物:
[式1e]
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