[发明专利]一种闪存存储设备中数据管理的方法及装置

说明书

技术领域

本发明属于存储器的数据存储技术领域，尤其涉及一种闪存存储设备中数据管理的方法及装置。

背景技术

闪存按照其内部构架可以分为单层单元闪存（Single-Level Cell，SLC）和多层单元闪存（Multi-Level Cell，MLC）。SLC的每个单元（cell）中存储1个位（bit）的信息；MLC的每个单元（cell）至少存储2个位（bit）的信息，其中，MLC包括2bit/cell、3bit/cell、4bit/cell以及更多位元的闪存。

SLC的数据写入是通过对浮栅的电荷加电压，经过源极将所存储的电荷消除，通过这样的方式，以存储一个信息位（1代表消除，0代表写入）。而MLC则是在浮栅中使用不同程度的电荷，因此能在单一晶体管中存储多个位的信息，并通过单元的写入与感应的控制，在单一晶体管中产生多种状态，对于SLC及MLC而言，同样容量的单元要存储1位与存储多位的稳定度和复杂度不同，SLC比MLC稳定，且SLC写入速度较快。从数据存储机制方面看，闪存内部包含多个存储块，每个存储块由多个页构成。SLC的所有页都是快速且稳定可靠的，而MLC的块内只有一部分页是快速且稳定可靠的，结构跟SLC内的页类似。例如，以2bit/cell的闪存为例，一个单元包含两个位（0，1位），0位称为最低有效位，1位称为非最低有效位，可产生四种状态（00，01，11，10），以写入块内不同的页内，其中，每个单元的两位分别写入块的最低有效位页和非最低有效位页内，其中，最低有效位页为快速且稳定可靠的页，并且同一型号的闪存其最低有效位页在所有的块内的分布都是一样的。同理，3bit/cell的闪存，一个单元包含3个位（0，1，2位），其中0位称为最低有效位，1和2位称为非最低有效位。用最低有效位页来描述MLC中快速且稳定可靠的页，用非最低有效位页来描述MLC中其它页。

现有技术中，单个闪存存储设备常常同时采用SLC和MLC或者只采用MLC以提高闪存存储设备的存储容量。然而将包含MLC的闪存存储设备应用到智能设备如智能手机、平板电脑等中时，在一定程度上会影响闪存存储设备的数据读写速度，导致智能设备中应用层的量产效率不高如系统安装时间长等问题。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种闪存存储设备中数据管理的方法，以解决现有包含MLC的闪存存储设备应用到智能设备，导致智能设备中应用层的量产效率不高的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种闪存存储设备中数据管理的方法，所述闪存存储设备中包括至少一多层单元闪存，所述方法包括：

在首次往所述闪存存储设备中写入数据时，将所述数据写入所述闪存存储设备中多层单元闪存存储块的最低有效位页和/或单层单元闪存存储块的闪存页。

本发明实施例的另一目的在于提供一种闪存存储设备中数据管理的装置，所述闪存存储设备中包括至少一多层单元闪存，所述装置包括：

数据写入单元，用于在首次往所述闪存存储设备中写入数据时，将所述数据写入所述闪存存储设备中多层单元闪存存储块的最低有效位页和/或单层单元闪存存储块的闪存页。

本发明实施例的再一目的在于提供一种闪存存储设备，所述闪存存储设备包括所述闪存存储设备中数据管理的装置。

本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：在嵌入式存储系统中，如包含MLC闪存存储设备的智能手机、平板电脑等智能设备，其首次写入的数据一般都是数据量比较大且重要的数据，如系统安装数据等，由于多层单元闪存存储块的最低有效位页以及单层单元闪存页的数据写入时间远小于非最低有效位页的数据写入时间，且最低有效位页以及单层单元闪存页为稳定可靠的闪存页，因此在首次往所述闪存存储设备中写入数据时，通过将所述数据写入所述闪存存储设备中多层单元闪存存储块的最低有效位页和/或单层单元闪存存储块的闪存页，可以大大的提高数据写入的速度，减少数据写入的时间，从而减少所述智能设备应用层的量产时间，提高其量产效率。而且，由于最低有效位页以及单层单元闪存页稳定可靠，因此还能提高写入数据的稳定性，具有较强的实用性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例一提供的闪存存储设备中数据管理方法的实现流程图；